首页 MicroLED正文

专利解密三安光电的Micro LED布局

MicroLED.cn MicroLED 2020-12-14 13:49:44 23762 0 | 文章出自:嘉德知识产权 MicroLED

Micro-LED来势汹汹,苹果、索尼、三星、欧司朗、日亚化、Cree等国际巨头以及晶电、隆达等台企都积极进行Micro LED制程的研发,大陆LED厂商也不甘落后。这其中动作较为迅速的要属三安光电了。

三安光电目前已申请多项Micro LED相关专利,并成功和三星签约,成为三星面板的独家供应商,此外,三安光电还将建立首条Micro-LED外延片和芯片生产线,并且

与TCL成立联合实验室布局MicroLED显示市场。

据消息称,三安已经开发出了直径为20微米的Micro LED产品;与此同时,三安还将生产4微米LED和10微米的LED倒装芯片。今天这里来揭秘三安microled的一项专利

三安光电于2018年3月22日提出一项名为“一种微型发光元件及其制作方法”的发明专利(申请号:201810241966.2),申请人为厦门市三安光电科技有限公司。

image.png

图1 微型发光二极管器件制作过程1

图1过程为提供的LED外延结构110,一般包括生长衬底111和外延叠层。其中,生长衬底110表面结构可为平面结构或图案化图结构,蚀刻区包括第二电极区217和切割道区218,其中切割道区218将整个发光外延叠层110划分为一系列微发光单元LED。继续蚀刻切割道区218的第一类型半导体层212则形成走道150,从而将在整个发光外延结构分为一系列微型LED芯片阵列。

image.png

图2 微型发光二极管器件制作过程2

在制作过程2中,各个微型LED芯片的表面上覆盖绝缘材料层160,仅露出第一电极216和第二电极的217的部分表面,并在微型LED芯片阵列上制作金属牺牲层190,进而根据测试模块,形成区域化的金属牺牲层,使得整个模块化的金属牺牲层并联在第二电极上,作为第二测试的第二电极。

image.png

图3 微型发光二极管器件制作过程3

参照图3,在微型LED芯片阵列上制作含有SiN等材料的绝缘保护层131,以此覆盖住整面的金属牺牲层,并填充第一电极开孔位置。利用干蚀刻的方式,在第一电极开孔进一步挖孔,露出第一电极,并将整面填充金属连接层141,进而在第一电极上与绝缘保护层组成支撑柱子。  

三安光电的此项Micro LED专利,在常用微型LED的基础上,利用导电基板搭配绝缘隔离,形成针孔电极的支撑柱子,并用模块化金属牺牲层做测试电极,实现微型发光元件的巨量全测。

来源:嘉德知识产权


版权声明

本文仅代表文章出处方观点,不代表本站立场。
本站原创文章转载请说明出处。

本文链接:https://microled.cn/MicroLED/263.html

发表评论

评论列表(0人评论 , 23762人围观)
☹还没有评论,来说两句吧...

MicroLED网 - 新一代显示技术MiniLED/MicroLED门户网站

https://microled.cn/

| 鄂ICP备2021014930号-3

Powered By MicroLED.cn

微信公众号:MicroLED资讯

关注获取更多热点