为了解决芯片尺寸不匹配的问题并应对Micro LED生产量的挑战，德国Micro LED技术厂商ALLOS应用其独特的应变工程技术，展示200mm（8寸）硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 晶圆片的出色一致性和可重复性，并同时说明其300mm（12寸）晶圆的成功发展蓝图。
良率是Micro LED显示器的成功的关键，并且会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的成本，必须采用大芯片直径。
这对于Micro LED应用而言尤其如此，Micro LED需要整合CMOS生产线的芯片与 LED晶圆片整合（譬如利用接合方式）。对比蓝宝石基氮化镓 (GaN-on-sapphire) 实现的更小直径，匹配的芯片直径还能促进其作用。
ALLOS团队采用其独有的应变工程技术来进一步提高波长一致性，并于2019年2月在Veeco的Propel产品上展示了200mm的GaN-on-Si LED晶圆片，标准差 (STDEV) 低至0.6nm。
ALLOS的最新研究结果显示，该技术现具有出色的可复制性，200mm的波长一致性始终低于1nm STDEV。
ALLOS联合创始人之一Alexander Loesing表示，与此同时，公司还达到了所有其他生产要求，例如弓小于40μm，SEMI标准厚度为725μm。在将CMOS芯片粘合到LED外延片时，这些参数非常重要。
结果令人印象深刻，因为ALLOS的技术团队仅在对这项工作投入非常有限的时间和资源的情况下，推动了GaN技术的发展。
图 1：用于Micro LED 应用的 200mm GaN-on-Si 晶圆片波长一致性已能重复达成
ALLOS的CTO Atsushi Nishikawa博士指出，公司的前身AZZURRO已率先在市场上推出了150mm商用产品，后来又推出了200mm GaN-on-Si外延片。下一个挑战自然是生产300mm外延片。当为如此大的芯片设计的首个反应器Veeco ImPulse面世时，ALLOS便着手应对这一挑战。
ALLOS证实，其技术已在此新反应器上成功扩展至300mm。特别是，ALLOS独有的应变工程技术和出众的晶体质量如预期的一样适用于300mm。
图 2：用于Micro LED的300mm GaN-on-Si晶圆片
相比于LED行业的其他因素，从100mm直径（典型的蓝宝石基氮化镓芯片尺寸）按比例增大对于Micro LED的业务影响更大。使用大直径除了能够降低单位面积成本效果之外，用于Micro LED生产的200mm和300mm GaN-on-Si晶圆片还能比传统LED生产线的成本更低和生产精度更高的CMOS设施。他还能造成更进一步的影响，因为大多数Micro LED生产模式使用大面积转印技术，或是整合单片显示器：
图 3：放大的芯片尺寸：由于显示器的匹配矩形形状或至圆形芯片的转印，可透过改善面积利用率来实现额外的成本效益。
关于300mm晶圆的优势，Loesing总结道，对于Micro LED显示器来说，大芯片尺寸的面积利用率更高，单是这一点就能实现300mm外延片40%的成本优势。加上CMOS生产线带来的其他成本优势和生产优势，这使得领先的业内厂商开始评估基于300mm GaN-on-Si的Micro LED显示器。
