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Lumileds实现InGaN红光LED新效率，解决MicroLED显示难题
9月17日消息，Lumileds宣布在InGaN红光LED的研发上再次取得了创纪录的新进展。据悉，相较于AlInGaP材料，采用InGaN材料的红光LED，能够与同样基于InGaN材料的绿光和蓝光LE
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Porotech携手美国设备商开发GaN Micro LED
近日，外网消息，Micro LED技术厂商Porotech与美国ClassOne Technology达成合作，Porotech将采用ClassOne的Solstice单晶圆平台设备，开发和制造应用硅
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韩国高校实现石墨烯基板生长柔性GaN MicroLED阵列
12月11日，外媒消息，韩国首尔国立大学与成均馆大学的研究团队联合开发了一种在石墨烯层上生长柔性GaN LED阵列的方法，通过该技术研究团队生长出了LED微型阵列，并称作微盘阵列（Microdisks
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AR眼镜显示技术再突破！首款GaN-Micro LED原生红光外延片面世
近日，剑桥大学的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化镓（GaN）生产技术的首款应用于商业化Micro LED原生红光LED外延片。传统的红光LED主要基于磷化铝铟镓（AlInGaP）材料。这意味着由于载流子扩散长度大和表面重组速度高，随着器件尺寸的减小，它们的效率会急剧下降。而Porotech指出，其创新的生产工艺可以生产出新型的多孔GaN半导体材料。近日，该公司推出用于MicroLED应用的商业化天然红氮化铟镓（InGaN）LED外延片。Porotech首席执行官兼联合创始人朱同彤
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鸿海携手阳明交大等开发高色纯度InGaN红光Micro LED
显示技术在我们的生活中扮演着重要角色，广泛应用于智能手机、平板电脑、桌面显示器、电视、车载显示、户外广告牌、数据投影仪和增强现实/虚拟现实设备等。与液晶和有机LED显示器相比，Micro LED具有高亮度、低功耗、高分辨率、高对比度等诸多优点，并具有应对新兴产品应用的潜力。然而，要实现全彩微型显示（full-color display）仍然面临一些困难，特别是高In含量的氮化铟镓（InGaN）基红光Micro LED受到量子局限史塔克效应（quantum confined-Stark effec
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厦门大学在GaN基MicroLED研究领域取得新进展
近日，电子科学与技术学院梅洋助理教授等在氮化镓Micro LED方面取得新进展，相关成果以“Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-Light Emitting Diodes by a Suspended Structure”为题发表于期刊ACS Photonics。一、研究背景氮化镓（GaN）基Micro LED由于在新一代显示技术、高速可见光通信等方面有着广泛的应用前景，吸引了众多研究者的关注。相比于常规尺寸LED，M
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Sundiode与Soft-Epi开发全InGaN堆叠式RGB MicroLED
近日，外媒报道，堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode宣布，与GaN技术开发商Soft-Epi共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。图片来源：Sundiode资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的
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韩国厂商成功开发红色InGaN外延，提升MicroLED性能
韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。业界熟知，制备红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料，但由于物理特性限制，基于AlGaInP材料制备的红光Micro LED效率会随着芯片尺寸的微缩而显著降低，且在巨量转移制程上，AlGaInP材料的缺陷也非常明显。具体来说，AlGaInP材料表面复合率高，若解决这个问题，则会导致LED温度特性不佳。同时，AlGaInP材料力学性能弱，机
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Porotech展出全球首款InGaN 基红光MicroLED 显示器：已跟晶电合作
从英国剑桥大学衍生的Micro LED 公司Porotech 去年在微型显示器技术大突破，于今年Touch Taiwan 2022 发表全球第一套氮化铟镓（InGaN）基的红光、蓝光、绿光的Micro LED 显示器，解析度为1,920 x 1,080，亮度至少可达200 万尼特（≥ 2M nits）。以Micro LED 来说，比起蓝、绿色，红色是最难显示的颜色，成本也相对较高。目前为止，全球光电业界只能使用GaN 基发光器件（如InGaN）生产蓝色、绿色的微显示器，红色微显示器需要混合多种材
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AlGaN紫外MicroLED
摘要：基于AIGaN的紫外线led在灭菌、消毒、净化、光疗等多个 领域有着广泛的应用，但其性能仍需进一步提高。由于减小LED尺 寸，具有更好的电流扩散、较低的自热效应和更高的光提取效率等 优点，紫外MicroLED有望提高量子效率，从而扩大更多的潜在应用。 本文将综述紫外MicroLED的性能增强技术和应用，为进一步发展基于 algan的紫外-led提供了展望。MicroLED格式为解决UVled普遍面临的 基本问题提供了可能性，但也展
