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蔚华科28日宣布，与旗下南方科技合作，推出非破坏性缺陷检测系统，抢攻化合物半导体检测商机。
蔚华科表示，现行的碳化硅（SiC）检测方式是将晶锭切片，取上、下两片基板进行破坏性氢氧化纳（KOH）蚀刻检测。
蔚华科指出，与南方科技合作的非破坏性缺陷检测系统，是采用非线性光学技术，扫描碳化硅基板，找出基板内部的晶体缺陷，每个晶锭可以省下两片用以检测的基板。
此外，蔚华科还表示，相关检测系统可以全面检测晶锭，进行晶锭分析和批次追踪分析，有助改善制程、提升产量。
蔚华科指出，与南方科技合作推出非破坏性缺陷检测系统后，未来将加速将南方科技在Micro LED、硅光子等先进光学检测技术的商业化。
