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Sundiode Inc开发堆叠式RGB Micro LED全彩显示器,采用硅基CMOS主动驱动技术

MicroLED.cn MicroLED 2021-11-09 13:39:01 10732 0 | 文章出自:ledinside MicroLED
据外媒报道,美国硅谷公司Sundiode Inc展示了一个全彩Micro LED微显示器,由堆叠式RGB Micro LED像素阵列组成,采用主动矩阵硅基CMOS背板驱动技术。

据悉,Sundiode位于美国加州圣克拉拉的坎贝尔城市,致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。今年4月,Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术,并宣布与韩国光子技术研究院(Korea Photonics Technology Institute)合作在单晶圆上实现全彩Micro LED像素器件。
在此基础上,Sundiode采用了Jasper Display Corp(位于美国加州圣克拉拉)可助力实现全彩的硅基CMOS背板,开发了堆叠式RGB Micro LED全彩显示器,Micro LED芯片尺寸为100μm,显示器尺寸为15.4mm×8.6mm,分辨率为200PPI。

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由堆叠式RGB像素阵列组成的微显示器,每个像素都是堆叠式的RGB Micro LED器件

据介绍,传统Pick & Place取放技术工艺需要单独转移R/G/B三个像素,而Sundiode的专有技术,只需要将单晶圆上的堆叠式RGB Micro LED像素阵列直接接合到硅基CMOS背板上。
此外,本次与Sundiode合作的JDC是一家无晶圆IC设计厂,提供支持开发Micro LED的CMOS背板技术,包括全高清、4K分辨率的背板,具有出色的电流一致性和灵活的寻址功能。
此前,英国Plessey也曾选用JDC的硅基背板开发Micro LED显示器。本次与Sundiode的合作再次表明其Micro LED CMOS背板技术可满足客户的定制化需求,适用于低功率的AR设备,也适用于汽车大灯等不同的应用。
目前,Sundiode正在进行下一阶段的研发,旨在显著提升全彩像素密度,以满足AR/MR设备对显示技术的要求。未来,Sundiode将力争开发出基于堆叠式RGB像素技术的超高分辨率微显示器。

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