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福建物构所在全光谱稀土长余辉及光激励多色发光研究领域获进展
据悉，福建物构所全光谱稀土长余辉及光激励多色发光研究获进展，相关研究成果以Engineering Trap Distribution to Achieve Multicolor Persistent
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武汉大学在深紫外和全光谱LED芯片取得新进展
近日，光学领域权威期刊Laser & Photonics Reviews（《激光与光子学评论》，影响因子:11）刊发了我校动力与机械学院周圣军教授团队在发光二极管（Light-emitting Diodes，LEDs）芯片研究领域的最新研究成果。1.大功率AlGaN基超薄隧道结深紫外LED芯片随着联合国通过《水俣公约》，汞灯的生产和使用逐渐受到限制，发展替代传统气态汞灯的新型深紫外光源成为迫切需求。与传统汞灯相比，发光波长在210 nm-300 nm之间的AlGaN基深紫外LED芯片具有
