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  • 诺视科技VSP技术再获突破,推出量产级单片全彩Micro-LED微显示芯片

    诺视科技近日推出量产级单片全彩XGA Micro-LED微显示芯片,该芯片基于诺视WLVSPTM技术平台(晶圆级垂直堆叠像素,简称VSP),将RGB三原色化合物和硅基CMOS驱动背板在垂直方向上进行堆

  • 14000 PPI!红光Micro LED领域再获突破

    近两年来,AR等XR智能可穿戴设备的兴起催熟了Micro LED技术,随着终端品牌的积极推广和消费需求的逐渐增长,Micro LED产业链在技术突破和产品研发上也加快了步伐,持续为这一领域注入活力,助推下一代智能可穿戴设备的落地应用。业界熟知,Micro LED量产的主要障碍包括芯片的巨量转移与检测返修、红光Micro LED的制备和效率问题、全彩化问题等等。过去几年来,科研界和产业链针对这些痛点展开了全面的攻关,也提出了在这一阶段可行的解决方案。近日,又有一家企业宣布在红光Micro LED微

  • 国星再获Mini/Micro LED、第三代半导体发明专利证书

    昨(10)日晚间,国星光电发布公告宣布取得了11项发明专利证书,其中6项涉及Mini/Micro LED,1项涉及第三代半导体。公告显示,国星光电于近日收到11项发明专利证书,其中中国国家知识产权局颁发的发明专利证书8项、美国发明专利证书3项,具体情况如下:从专利涉及的领域来看,11项专利中,4项涉及Mini LED技术领域,2项涉及Micro LED技术领域,第三代半导体、景观亮化、车用LED、指示器件、户外LED等技术领域各1项。据国星光电介绍,涉及Mini/Micro LED技术领域的6项

  • 隆利科技再获MiniLED相关专利证书

    隆利科技持续加码专利布局,近日发布公告称,其收到由美国专利商标局颁发的一项发明专利证书,专利名称为“一种mura补偿的直下式MiniLED背光模组”。公告显示,该专利申请号为17/308987,专利号为US11385498B1,专利申请日为2021年5月5日,专利权限为20年,自申请日起算。该专利提供了一种mura补偿的直下式MiniLED背光模组,主要通过在光学膜片中增加微透镜结构,来消除背光模组中的灯斑(mura),以实现MiniLED背光模组有效地均匀出光。隆利科技表示,以上专利为公司自主

  • MicroLED芯片厂镭昱半导体再获千万美元战略融资

    近年来,AR/VR行业热度持续升高,各路玩家相继推出基于Micro LED显示技术的AR/VR终端设备。TrendForce集邦咨询预估,至2026年Micro LED AR智慧眼镜显示器芯片产值将达4,100万美元。在此发展趋势下,MicroLED芯片厂商镭昱半导体(Raysolve)抢占市场先机,不仅研发出了全球首款标准化全彩Micro LED微显示芯片,还获得资本市场的肯定,在一年时间内连续完成多轮融资。近日,镭昱半导体再度宣布完成千万美元Pre-A+轮及Pre-A++轮融资,分别由韦豪创

  • 瑞丰光电P0.39小间距再获新订单,正在批量出货中

    瑞丰光电官微消息,近日,瑞丰光电准量产阶段的P0.39小间距超高清显示产品再获新订单,目前正在批量出货中。据介绍,瑞丰光电Mini/Micro LED显示产品采用全倒装集成封装工艺,相较于IMD、正封装等其他工艺技术,具有超大尺寸、无缝拼接、宽视角、高亮度、可调色温、高刷新、高对比度等优势。此外,瑞丰光电Mini/Micro LED像素间距涵盖P1.25、P0.93、P0.68到P0.49、P0.39,并且产品不断迭代升级,可满足媒体演播、商业综合展示、会议会务活动、展览巡演、指挥调度等各类型超

  • InGaN基全彩化MicroLED再获突破!红光芯片效率显著提升

    今年5月,阿卜杜拉国王科学技术大学(KAUST)宣布开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片,外量子效率(EQE)有所提升,对实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器有重要的推动作用。在此基础上,KAUST近期又取得了新的突破。据外媒报道,KAUST开发了可在整个可见光光谱范围内高效发光的Micro LED(μLEDs)芯片,实现Micro LED的全彩化。目前,KAUST团队的相关论文已发表在《光子学研究》(Photonics Research)期刊上。据介绍,氮合金

  • 手握首张权威8K身份证,利亚德MicroLED超高清显示屏再获认可

    利亚德于2020年8月,成为国内首家获得权威8K认证的Micro LED超高清显示屏企业

  • 比利时MicroLED公司再获700万欧元投资

    MICLEDI再获资金支持,发力AR用Micro LED显示

  • 韩国首尔团队Micro LED技术再获突破!

    据报道,韩国首尔国立大学(SNU)的研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。据论文显示,SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列,用于生长尺寸为4μm × 16μm的Micro LED阵列。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的单片化,提供更高的外量子效率(EQE)。图片来源: 《科学报告》/SNU相比在平面基板上生长的氮化镓基Micro LED,在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密