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深圳龙岗拟建国家第三代半导体技术创新中心
1月29日，深圳市龙岗区平湖街道挂牌一宗普通工业用地，宗地号为G05701-0090，土地总面积为86714.75平方米，建筑面积为105000平方米。本宗地的挂牌起始价2920万元，土地使用年限为30年，将于2月27日正式出让。本宗地土地用途为普通工业用地，宗地产业准入行业为C3972半导体分立器件制造，宗地位于平湖街道新厦大道33号，将用于建设国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台。根据出让合同，宗地规定的10.50万平的建筑面积，其中食堂1万平及厂房9.5万均不得转让，宗地须自《出让合同
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福建2023年重点项目名单公布，三安半导体、士兰等项目上榜
日前，福建省发展和改革委员会印发2023年度省重点项目名单，2023年度省重点项目1580个，总投资4.09万亿元，年度计划投资6480亿元。省在建重点项目中，包括厦门士兰12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目、南安三安半导体研发与产业化项目、厦门海沧区士兰明镓SiC功率器件生产线建设项目、上杭晶旭半导体2英寸化合物半导体芯片生产项目等第三代半导体项目。厦门士兰12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线建设项目据消息，项目预计投资170亿元，在厦门海沧建设两条 12 英寸特色工艺芯片生产线。总建
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半导体专用设备商拓荆科技拟投5亿设全资子公司
1月20日，拓荆科技股份有限公司（以下简称：拓荆科技）发布公告称，根据未来发展规划，公司拟以货币形式和/或非货币财产作价方式，合计出资人民币50,000万元设立全资子公司拓荆科技（沈阳）有限公司。该子公司主要围绕公司现有主营业务开展相关经营活动，从事高端半导体薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务。据了解，拓荆科技成立于2010年4月，2022年4月正式登陆科创板。公司总部位于沈阳市浑南区，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务，主要产品为半导体薄膜沉积设备，包括等离子体增强化
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国星再获Mini/Micro LED、第三代半导体发明专利证书
昨（10）日晚间，国星光电发布公告宣布取得了11项发明专利证书，其中6项涉及Mini/Micro LED，1项涉及第三代半导体。公告显示，国星光电于近日收到11项发明专利证书，其中中国国家知识产权局颁发的发明专利证书8项、美国发明专利证书3项，具体情况如下：从专利涉及的领域来看，11项专利中，4项涉及Mini LED技术领域，2项涉及Micro LED技术领域，第三代半导体、景观亮化、车用LED、指示器件、户外LED等技术领域各1项。据国星光电介绍，涉及Mini/Micro LED技术领域的6项
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第三代显示半导体和电子新材料产业园项目签约河南新乡
2022年12月28日，河南省新乡市红旗开发区举行第三代显示半导体和电子新材料产业园项目签约仪式。图片来源：新乡市工业和信息化局据悉，第三代显示半导体和电子新材料产业园项目由河南红旗区与中科世华（深圳）技术有限公司共同投资，占地约100亩，主要以生产MLED直显和背光产品、柔性屏显示连接器电路板等新型显示半导体和电子新材料为主。资料显示，中科世华（深圳）技术有限公司成立于2019年5月23日，经营范围包括电子产品销售；显示器件制造；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；显示器件销售；计
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中京电子拟收购盈骅新材1.43%股权，布局半导体上游材料
12月29日，中京电子发布公告称，公司拟以自有资金1000万元购买广东盈骅新材料科技有限公司（以下简称“盈骅新材”）1.4286%的股权。目前，中京电子已与盈骅光电签署《广东盈骅新材料科技有限公司股权转让协议》。本次交易完成后，中京电子将成为盈骅新材的股东。据悉，盈骅新材主要从事半导体封装载板基材的产品研发、制造与技术服务。盈骅新材长期致力于先进封装领域高性能树脂材料、先进封装载板用BT基材以及FC-BGA封装载板用ABF增层膜的研发以及产业化，其技术研发与创新能力达到国际先进水平，是国内较早开
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投资10亿元，立琻化合物半导体项目一期厂房落成
11月21日，立琻半导体（LEKIN）一期厂房落成典礼在苏州太仓高新区举行。最新消息，其厂房内部第一条生产线的设备已全部搬入，正准备进行调试。在典礼上，中科院纳米所-立琻半导体高效大功率紫外LED联合实验室同步揭牌，并且清华大学区域发展研究院、太仓高新区、立琻半导体签订三方协议。图片来源：立琻半导体据了解，该项目位于太仓高新区常胜北路168号，一期投资10亿元，打造化合物半导体光电器件研发制造基地，总建筑面积15283平方米，主要产品包括高效紫外LED、红外VCSEL、车用LED等高性能半导体光
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台亚积极布局化合物半导体，功率元件将于明年底小量出货
LED、感测厂台亚积极发展化合物半导体，总经理衣冠君昨 (22) 日指出，化合物半导体功率元件布局预计在后年发酵并开始贡献营收，届时氮化镓 (GaN) 产品营收比重可望达3成。衣冠君表示，明年底化合物半导体功率元件将会开始小量出货，但主要成长仍要等到2024年，目前台亚旗下积亚半导体聚焦碳化硅功率元件业务，目标后年出货后，相关投资能在2025年达损益两平。衣冠君表示，明年也将持续针对化合物半导体进行投资，目前SiC厂房持续建置中，投资规模16亿元（新台币，下同）；GaN方面也将斥资16亿元购置设
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华灿光电第三代半导体材料与器件省重点实验室通过验收
近日，浙江省科学技术厅公布2020年度省重点实验室责任期考核结果，依托华灿光电（浙江）有限公司的浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室顺利通过验收。据悉，该实验室成立于2019年，为义乌市首家省级重点实验室。实验室致力于第三代半导体材料与器件核心技术，围绕国家新基建的关键核心材料方向，开展新一代显示用半导体LED芯片技术、半导体高光效照明及背光用LED芯片技术、GaN基电子电力器件技术等研究工作。截至目前，实验室取得具有自主知识产权的GaN外延生长技术与核心器件制备技术，承担国家级课题1项，承担
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首尔半导体、首尔伟傲世Q3财报一览
近日，首尔伟傲世及首尔半导体官网相继公布2022年Q3财报以及Q4业绩展望。受产业链供需失衡、库存等问题的影响，首尔半导体、首尔伟傲世上个季度的主要财务指标皆有所下降。首尔半导体首尔半导体Q3实现销售额为2841亿韩元（约合人民币15.28亿元），同比下降17%，环比微降3%。从业务结构来看，首尔半导体的销售额主要来自IT、汽车、照明及其他应用（UV、激光二极管、VCSEL等），其中，IT占比最高，应用覆盖TV、显示器、笔记本、手机、闪光灯等。利润方面，Q3经营利润率为-4.2%，毛利率为15.
