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名城大学与KAUST研发叠层全彩MicroLED
近日，外媒报道，日本名城大学与沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）共同研发了像素密度为330PPI的单片叠层RGB氮化镓铟（GaInN）Micro LED阵列。研究人员表示，该产品可应用在AR/VR/MR等头戴智能设备上，这些设备所需的微米级像素显示无法通过机械组装技术制造，因此需要用到单片制造技术。对于氮化镓铟材料的应用，研究人员解释到，虽然基于氮化镓铟的LED在较长波长下遇到了较大的效率问题，但对于可见光谱里的红光效率，氮化镓铟已取得了新的进展。此外，相较常用的红光LED材料磷化铝镓铟，氮
