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总投资10.5亿，聚灿光电新增GaAs红黄光外延芯片项目
3月6日，聚灿光电发布公告，宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金（共计8亿元）用途，用于新项目“年产240万片红黄光外延片、芯片项目”的实施。本次变更后，剩余
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IQE持续开拓MicroLED外延业务，2023年营收约10.45亿
1月16日消息，英国化合物半导体代工厂IQE表示，在2023下半年公司业务有所反弹的情况下，预计2023全年公司销售收入约为1.15亿英镑（约合人民币10.45亿元）以上，相较2022年（1.67亿英
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MicroLED新突破，晶能光电首发硅衬底 InGaN基三基色外延
近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电产品提供商，为全球客户提供高品质的LED（外延、芯片、封装和模组）光源和感知传感器件产品和解决方案。基于近20年的硅衬底GaN基LED技术和产业化积累，晶能光电早在2020年便推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InG
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爱思强如何破解Micro LED外延量产难题
Micro LED技术的不断突破，终端企业对Micro LED加持等种种积极信号，都让LED显示行业对Micro LED的未来发展充满了信心。Micro LED在头戴式的AR穿透式智能眼镜、穿戴式智能手表、车用智能驾驶座舱及透明显示产品的发展，预估Micro LED芯片产值将从2022年的1,400万美金，成长至2027年的12.4亿美金，年复合成长率达150%。当下，Micro LED在上游外延材料制造环节仍面临不小的阻碍，若要进一步提升Micro LED外延的良率，降低生产成本，最终形成批量
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AR眼镜显示技术再突破！首款GaN-Micro LED原生红光外延片面世
近日，剑桥大学的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化镓（GaN）生产技术的首款应用于商业化Micro LED原生红光LED外延片。传统的红光LED主要基于磷化铝铟镓（AlInGaP）材料。这意味着由于载流子扩散长度大和表面重组速度高，随着器件尺寸的减小，它们的效率会急剧下降。而Porotech指出，其创新的生产工艺可以生产出新型的多孔GaN半导体材料。近日，该公司推出用于MicroLED应用的商业化天然红氮化铟镓（InGaN）LED外延片。Porotech首席执行官兼联合创始人朱同彤
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KAIST研发外延新技术，可提高Micro LED效率
3月22日消息，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究团队，重新研究了Micro LED（μLED）的效率下降现象，并发现可通过外延结构工程从根本上解决问题。据悉，Micro LED的制造需通过刻蚀工艺，将晶圆上生长的外延结构切割成圆柱体或长方体形状而形成，刻蚀工艺同时伴随着基于等离子体的制造工艺。然而，这些等离子体会在Micro LED像素制造过程中在像素侧壁形成缺陷。随着像素尺寸变小和分辨率的提高，像素的表面积与体积比增加，加工过程中出现的器件侧壁缺
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再造一个MicroLED产业基地！晶能光电外延总监眼中的MicroLED未来
现在全球的LED产业链资源都聚集在中国，国内的厂商完全有能力再造一个MicroLED产业基地。——晶能光电（江西）有限公司外延总监涂逵时间已来到2022年，晶能光电成立16年了。十余年的光阴里，晶能光电走过了一段艰苦卓绝的技术产业化历程，秉持着坚守的信念、本分的精神，用过硬的品质，从移动照明到手机闪光灯，再到汽车照明，锻造了一个又一个细分领域的“单打冠军”。来到LED微缩化时代，晶能光电又将硅衬底GaN基材料技术应用于Micro LED，进度喜人：2020年适用于户外高分辨率显示屏的硅衬底垂直M
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MicroLED | 韩Soft-Epi宣布红色GaN外延晶片量产出货
Soft-Epi是一家韩国科技公司，一直致力于使用MOCVD进行GaN基外延晶片的生长，近日，该公司宣布正在向客户出货MicroLED用GaN红色外延晶片。根据外媒Compound Semiconductor报道，据该公司表示，他们开发了一种具有突破性的技术，凭借该技术他们现在已经可以使用现有MOCVD设备批量生产红色Micro-LED外延晶片，整个量产过程没有增加额外的设备投资。图1. 韩国GaN外延领域的专业公司Soft-Epi为红色MicroLED的量产提供突破性技术众所周知，Micro-
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韩国厂商成功开发红色InGaN外延，提升MicroLED性能
韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。业界熟知，制备红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料，但由于物理特性限制，基于AlGaInP材料制备的红光Micro LED效率会随着芯片尺寸的微缩而显著降低，且在巨量转移制程上，AlGaInP材料的缺陷也非常明显。具体来说，AlGaInP材料表面复合率高，若解决这个问题，则会导致LED温度特性不佳。同时，AlGaInP材料力学性能弱，机
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晶湛半导体发布MicroLED全彩外延片，尺寸打破300mm壁垒
4月8日，苏州晶湛半导体有限公司（以下简称"晶湛半导体"）发布了其面向Micro LED显示产业应用的全彩系列外延片产品-Full Color GaN®，新品外延片尺寸成功拓展至300mm。据晶湛半导体介绍，Full Color GaN®是硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片，具有更大的晶圆尺寸（200mm-300mm）和更好的表面质量，对提升LED芯片良率具有独特优势。此外，通过采用200mm/300mm FAB中先进的硅基芯片工艺制程，外延片可制备高性能的微型（5µm2
