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华灿光电Micro LED技术专利获授权，可提升芯片键合强度
天眼查官网显示，华灿光电的“微型发光二极管芯片及其制备方法”专利已获得授权，授权公告日为6月9日，授权公告号为CN114388672B，该专利能够提升芯片键合强度，使键合层与基板和外延结构的连接更紧密，提高芯片的可靠性。据专利文件介绍，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)芯片通常包括基板、外延结构、第一电极和第二电极，外延结构层叠于基板的表面，第一电极和第二电极位于外延结构上远离基板的表面，且分别与外延结构中的p型层和n型层相连。通常在将外延
