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超75000颗/次，英国研究者开发Micro LED连续滚轮转印技术
近日，英国斯特拉思克莱德大学（University of Strathclyde）的研究者宣布开发了一项Micro LED新型转移工艺：连续滚轮转印技术，可在一次转印中精准地转移超75000颗Micro LED，并针对转移的数量和良率开发了自动计量系统。智能手机、笔记本电脑和其他电子设备已成为我们生活中不可或缺的一部分。从休闲到与朋友和家人保持联系或在旅途中管理工作，这些设备正改变了我们的生活和工作方式，而显示技术在这里面起到了至关重要。对于移动设备来说，通过触摸屏直接与内容交互的能力彻底改变了
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高性能InGaN Micro LED,日本研究者发表最新研究成果
Micro LED的发光效率会随着尺寸微缩而下降，从而导致检测与维修问题增多，这是Micro LED面临的关键技术难题之一。鉴于此，相关技术研究员尝试在外延片生产阶段提高Micro LED的效率。据报道，加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）携手诺贝尔奖得主中村修二先生（Shuji Nakamura）最近发表了一篇论文，描述了一种利用外延隧道结（Epitaxial Tunnel Junctions, TJs）制备高性能I
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加拿大滑铁卢大学研究者开发出一种Micro LED转移新方法
加拿大滑铁卢大学的研究人员报告说，他们创造了一种将Micro LED转移并粘合到柔性基板上的新方法。研究人员将这种方法称为“粘贴和剪切（paste-and-cut）”，该方法可以将GaN Micro LED从蓝宝石衬底选择性转移到柔性平台上。研究结果发表在2020年7月的Nano Energy上。研究团队展示了他们使用新颖的“粘贴和剪切”方法将GaN Micro LED转移并结合到柔性基板上的成果，并证明了其有效性。该技术首先将晶圆上的Micro LED粘合到玻璃基板上，然后将它们释放到柔性基板
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韩研究者开发出可折叠GaN Micro LED
据报道，韩国研究者宣布开发出可折叠的氮化镓（GaN）Micro LED，并且可用剪刀剪切。本次研究由韩国世宗大学（Sejong University）及美国得克萨斯大学（University of Texas）合作开展。研究题目为《用于可变形LED和晶圆回收的GaN微米柱异质结构的远程异质外延技术》（Remote heteroepitaxy of GaN microrod heterostructures for deformable light-emitting diodes and wafe
