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第三代Ray-Ban Stories智能眼镜将于2025年推出
据报道，第三代Ray-Ban Stories智能眼镜将于2025年发货，并配备HUD和神经腕带。图片来源：Meta据悉，由Meta和Luxottica合作的Ray-BanStories于2021年发售，本质上是用于拍摄第一人称照片和视频的相机眼镜。自2017年以来，Snapchat一直在销售类似的产品Spectacles。近日，Meta AR副总裁Alex Himel在内部演示中告诉员工，第二代Ray-BanStories将于今年晚些时候发布。去年，The Information曾报道过这一点，
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【定档通知】2022第三届全球Mini/MicroLED 显示技术周 6月22-23日强势登陆深圳
为了助推Mini/Micro LED显示产业高质量发展，中国电子视像行业协会Mini/Micro LED显示产业分会（CMMA）将联合舜联智库，共同筹备“2022 第三届全球Mini/Micro LED显示技术周(Mini/Micro LED TechDays)”系列活动。全球Mini/Micro LED 显示技术周自2020年已连续两届成功举办，本届将于2022年6月22-23日强势登陆深圳，为期两天，包含了主论坛+领袖对话+Mini LED背光及Micro LED全产业链成果展示＋新品集中发
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天域、广东光大等第三代半导体项目动工建设
3月17日，广东东莞隆重举行2023年首批重大项目动工仪式，启动天域半导体、光大半导体、比亚迪汽车零部件等60个重大项目建设。2023年首批动工重大项目中，天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目总投资80亿，建筑面积约24万平方米，将建设年产能120万片的碳化硅外延晶片大型生产基地，预计2023年内完成第一期17万片年产能的建设。资料显示，天域半导体成立于2009年，是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业。近日，公司刚获得近12亿元融资，融资资金将继续用于增加碳化硅外延产线的
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爱科思达第三代半导体设备研发制造基地项目签约落地
3月15日，火炬工业集团与深圳爱科思达科技有限公司（以下简称“爱科思达”）在举行“智能电源设备研发制造基地项目”签约仪式。图片来源：中山火炬工业集团据悉，爱科思达建设打造的智能电源设备研发制造基地项目，拟投资8亿元，达产后预计新增产值超10亿元，税收超5000万元。项目建成后将进一步促进产业链上下游创新要素资源加速集聚，助推新一代信息技术产业做大做强。资料显示，爱科思达成立于2016年，是专业从事研发制造第三代半导体消费类充电设备、储能设备的高新技术企业，其研发制造的第三代半导体具有耐高温、抗辐
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深圳龙岗拟建国家第三代半导体技术创新中心
1月29日，深圳市龙岗区平湖街道挂牌一宗普通工业用地，宗地号为G05701-0090，土地总面积为86714.75平方米，建筑面积为105000平方米。本宗地的挂牌起始价2920万元，土地使用年限为30年，将于2月27日正式出让。本宗地土地用途为普通工业用地，宗地产业准入行业为C3972半导体分立器件制造，宗地位于平湖街道新厦大道33号，将用于建设国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台。根据出让合同，宗地规定的10.50万平的建筑面积，其中食堂1万平及厂房9.5万均不得转让，宗地须自《出让合同
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国星再获Mini/Micro LED、第三代半导体发明专利证书
昨（10）日晚间，国星光电发布公告宣布取得了11项发明专利证书，其中6项涉及Mini/Micro LED，1项涉及第三代半导体。公告显示，国星光电于近日收到11项发明专利证书，其中中国国家知识产权局颁发的发明专利证书8项、美国发明专利证书3项，具体情况如下：从专利涉及的领域来看，11项专利中，4项涉及Mini LED技术领域，2项涉及Micro LED技术领域，第三代半导体、景观亮化、车用LED、指示器件、户外LED等技术领域各1项。据国星光电介绍，涉及Mini/Micro LED技术领域的6项
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第三代显示半导体和电子新材料产业园项目签约河南新乡
2022年12月28日，河南省新乡市红旗开发区举行第三代显示半导体和电子新材料产业园项目签约仪式。图片来源：新乡市工业和信息化局据悉，第三代显示半导体和电子新材料产业园项目由河南红旗区与中科世华（深圳）技术有限公司共同投资，占地约100亩，主要以生产MLED直显和背光产品、柔性屏显示连接器电路板等新型显示半导体和电子新材料为主。资料显示，中科世华（深圳）技术有限公司成立于2019年5月23日，经营范围包括电子产品销售；显示器件制造；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；显示器件销售；计
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华灿光电第三代半导体材料与器件省重点实验室通过验收
近日，浙江省科学技术厅公布2020年度省重点实验室责任期考核结果，依托华灿光电（浙江）有限公司的浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室顺利通过验收。据悉，该实验室成立于2019年，为义乌市首家省级重点实验室。实验室致力于第三代半导体材料与器件核心技术，围绕国家新基建的关键核心材料方向，开展新一代显示用半导体LED芯片技术、半导体高光效照明及背光用LED芯片技术、GaN基电子电力器件技术等研究工作。截至目前，实验室取得具有自主知识产权的GaN外延生长技术与核心器件制备技术，承担国家级课题1项，承担
