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Porotech宣布成功开发全球首款InGaN基红光MicroLED显示器！
昨（19）日，从剑桥大学分拆出去的Micro LED公司Porotech宣布成功开发出全球首款天然红InGaN基Micro LED显示器，显示面积为0.55英寸（对角线），分辨率为960 x 540。Porotech指出，到目前为止，采用GaN基发光器件只能生产出蓝光和绿光微显示器，而红光微显示器的生产依赖于AlInGaP基器件。AlInGaP材料由于载流子扩散长度大和表面复合速度高等因素，难以生产出性能达标的小尺寸显示器，其产品效率会随着器件尺寸缩小而急剧降低。此外，若要实现全彩化显示，也只能
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InGaN基全彩化MicroLED再获突破！红光芯片效率显著提升
今年5月，阿卜杜拉国王科学技术大学（KAUST）宣布开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，外量子效率（EQE）有所提升，对实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器有重要的推动作用。在此基础上，KAUST近期又取得了新的突破。据外媒报道，KAUST开发了可在整个可见光光谱范围内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片，实现Micro LED的全彩化。目前，KAUST团队的相关论文已发表在《光子学研究》（Photonics Research）期刊上。据介绍，氮合金
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首尔伟傲世突破红光MicroLED效率问题,已启动量产！
昨（19）日，首尔伟傲世宣布已联合美国圣芭芭拉SSLEEC（Solid State Lighting & Energy Electronics Center）团队成功开发尺寸小于1μm的蓝光Micro LED和绿光LED，并且在尺寸小于70μm红光Micro LED的外量子效率（EQE）和良率问题上获得了突破。（a）红光Micro LED电致发光波长光谱（b）电子显微镜下尺寸1μm的蓝/绿光Micro LED据介绍，SSLEEC团队由诺贝尔奖得主、美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）物
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美国加州大学在红光Micro LED芯片获突破！
近年来，随着MicroLED的市场认可度和需求逐渐提升，生产技术难题也加速取得了进展，例如技术瓶颈之一的红光Micro LED芯片问题。今年3月，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）宣布首次展示了尺寸小于10μm的InGaN基红光Micro LED芯片。
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尺寸小于10微米的红光MicroLED芯片问世
据外媒报道，美国加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）宣称已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基红光Micro LED芯片，并通过晶圆上量测得出外量子效率（EQE）为0.2%。 -
MicroLED新突破！江风益院士团队大幅提升橙-红光LED发光性能
Photonics Research 2020年第11期 Editors’ Pick：Shengnan Zhang, Jianli Zhang, Jiangdong Gao, et al. Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red[J]. Photonics Research, 2020, 8(11): 11001671.InGaN薄膜因其宽带隙可调的优点，在可
