-
清华联合凝聚态实验室提升红光MicroLED微显示性能
12月21日消息，清华大学与中国北京凝聚态物理国家实验室宣布，研究团队通过使用独立式氮化镓衬底 （freestanding gallium nitride substrates (FGS)），提升了红
-
JBD红光MicroLED亮度突破100万尼特，再次刷新行业纪录
近日，MicroLED微显示器制造商上海显耀显示科技Jade Bird Display（以下简称“JBD”）宣布，其自主研发的0.13英寸microled红光芯片亮度突破100万尼特大关，再次刷新业界
-
JBD红光MicroLED亮度突破75万尼特
AlGaInP材料是半导体照明行业中用于制作红光LED最成熟的半导体材料，其在商用照明及显示领域的应用成熟而广泛，具有成本低，亮度高，可靠性良好的优势。但受限于“尺寸效应”，AlGaInP基Micro LED在微米级尺度上光效下降严重，为业界公认难题。近年来，全球不少科研单位及企业致力于攻克Micro LED光效等技术难题，其中，JBD多年来一直坚持在该技术路线上持续深入地研发，近一年来，JBD在该技术领域再次取得持续突破，其红光Micro LED在光效和亮度方面再次刷新行业记录。红光突破75万
-
MICLEDI展示AlInGaP红光MicroLED新品
在近期举办的CES 2023展会上，AR用Micro LED无晶圆开发商MICLEDI展示了以AlInGaP为原料的红光Micro LED产品。图片来源：MICLEDI官网这款最新的红光Micro LED芯片与MICLEDI此前推出的蓝光、绿光Micro LED芯片相同，均采用CMOS平台打造，且不含砷化物，芯片能够在<9nm的极窄半高全宽（FWHM）内实现653nm波长，发出与法拉利跑车颜色类似的红光。另外，相较标准GaN Micro LED芯片，AlInGaP红光Micro LED芯片
-
MICLEDI展示最新红光MicroLED产品，可助力实现AR全彩显示
近日，外媒报道，AR用Micro LED无晶圆开发商MICLEDI展示了半高全宽（full-width half-maximum (FWHM)）在50nm范围内的630nm红光氮化镓Micro LED，高度优化的单色红光Micro LED可集成到全彩Micro LED显示模块中， 而一直以来，红光Micro LED性能都存在问题，这也是影响Micro LED实现全彩显示的主要因素之一。图片来源：MICLEDI官网MICLEDI认为，其Micro LED全彩显示器制造方法具有独特的优势，可满足AR
-
Porotech攻克红光MicroLED技术瓶颈
近年来MicroLED技术不断突破，加上元宇宙、车用领域带动次世代显示技术的需求，商用化这一目标仿佛近在咫尺。其中，红光Micro LED芯片一直是技术瓶颈，但英国Micro LED公司却将材料的劣势化为优势，甚至有效缩短制程、降低成本，这到底怎么做到？《科技新报》特地专访Porotech执行长兼创办人朱彤彤，来了解该公司的技术独到之处。MicroLED技术提供商Porotech成立于2018年4月、2019年11月从剑桥大学分拆，Porotech执行长朱彤彤表示，过去在剑桥大学常做磊晶相关材料
-
Saphlux发布AR用红光MicroLED解决方案，2微米像素色转换效率达67%
近日，来自耶鲁大学的Saphlux团队（赛富乐斯半导体科技有限公司）发布了专为AR红光显示设计的NPQD® Micro LED光引擎，在2微米的像素尺度下实现了67%的红光-蓝光光子转换效率，为困扰业界已久的小尺寸红光问题提供了解决方案。2微米红色NPQD® Micro LED光引擎众所周知，在AR Micro LED显示应用中，由于芯片尺寸变小带来的红光效率和三色集成问题是目前阻碍产业发展的主要瓶颈。传统铝铟镓磷(AlInGaP) 红光Micro LED的光效会随着芯片尺寸
-
Porotech展出全球首款InGaN 基红光MicroLED 显示器：已跟晶电合作
从英国剑桥大学衍生的Micro LED 公司Porotech 去年在微型显示器技术大突破，于今年Touch Taiwan 2022 发表全球第一套氮化铟镓（InGaN）基的红光、蓝光、绿光的Micro LED 显示器，解析度为1,920 x 1,080，亮度至少可达200 万尼特（≥ 2M nits）。以Micro LED 来说，比起蓝、绿色，红色是最难显示的颜色，成本也相对较高。目前为止，全球光电业界只能使用GaN 基发光器件（如InGaN）生产蓝色、绿色的微显示器，红色微显示器需要混合多种材
-
长春光机所在红光MicroLED研究领域取得新进展
Micro LED以其优越的性能被应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等诸多领域。目前，Micro LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。由于像素尺寸缩小，芯片的周长面积比增大，导致侧壁的表面复合增多，非辐射复合速率变大，从而导致光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀，加重了侧壁缺陷。另外，对于磷化Micro LED，在较高的驱动电流下，热刺激LED的多量子阱有源区和电子阻挡层中的注入电子泄漏到LED结构的P侧，导致效率下降，即efficiency
-
Porotech宣布成功开发全球首款InGaN基红光MicroLED显示器！
昨（19）日，从剑桥大学分拆出去的Micro LED公司Porotech宣布成功开发出全球首款天然红InGaN基Micro LED显示器，显示面积为0.55英寸（对角线），分辨率为960 x 540。Porotech指出，到目前为止，采用GaN基发光器件只能生产出蓝光和绿光微显示器，而红光微显示器的生产依赖于AlInGaP基器件。AlInGaP材料由于载流子扩散长度大和表面复合速度高等因素，难以生产出性能达标的小尺寸显示器，其产品效率会随着器件尺寸缩小而急剧降低。此外，若要实现全彩化显示，也只能
