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MicroLED | 韩Soft-Epi宣布红色GaN外延晶片量产出货
Soft-Epi是一家韩国科技公司，一直致力于使用MOCVD进行GaN基外延晶片的生长，近日，该公司宣布正在向客户出货MicroLED用GaN红色外延晶片。根据外媒Compound Semiconductor报道，据该公司表示，他们开发了一种具有突破性的技术，凭借该技术他们现在已经可以使用现有MOCVD设备批量生产红色Micro-LED外延晶片，整个量产过程没有增加额外的设备投资。图1. 韩国GaN外延领域的专业公司Soft-Epi为红色MicroLED的量产提供突破性技术众所周知，Micro-
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韩国厂商成功开发红色InGaN外延，提升MicroLED性能
韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。业界熟知，制备红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料，但由于物理特性限制，基于AlGaInP材料制备的红光Micro LED效率会随着芯片尺寸的微缩而显著降低，且在巨量转移制程上，AlGaInP材料的缺陷也非常明显。具体来说，AlGaInP材料表面复合率高，若解决这个问题，则会导致LED温度特性不佳。同时，AlGaInP材料力学性能弱，机
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KAUST:已开发出17 x 17 μm红色 MicroLED
沙特阿拉伯的研究人员开发出Micro LED，可以有效地发射整个可见光谱的光。阿卜杜拉国王科技大学 (KAUST) 的团队认为，Micro LED是用于头戴式显示器、手机和电视的下一代 Micro LED 显示器的“理想构建模块”，因为它们具有亮度、响应速度快和能耗低的特点。与传统 LED 显示器一样，Micro LED 产品将需要红色、蓝色和绿色光源阵列。氮化物基合金是一组半导体材料，为实现这一目标提供了途径，因为通过正确的化学混合，它们可以发出所有三种颜色。然而，当氮化物器件的尺寸减小到微米
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ALLOS与KAUST研发高效硅基InGaN红色Micro LED
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。 &n
