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MicroLED新突破，晶能光电首发硅衬底 InGaN基三基色外延
近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电产品提供商，为全球客户提供高品质的LED（外延、芯片、封装和模组）光源和感知传感器件产品和解决方案。基于近20年的硅衬底GaN基LED技术和产业化积累，晶能光电早在2020年便推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InG
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硅衬底氮化镓技术如何推动Micro LED的产业化发展？
Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。晶能光电是大尺寸硅衬底氮化镓Micro LED工艺路线的坚定实践者。在2023新型显示产业研讨会上，晶能光电外延工艺经理周名兵介绍了硅衬底GaN基Micro LED技术的发展情况。在巨大市场前景下，Micro LED仍面临很大技术挑战得益于在亮度、光效、可靠性、响应时间等方面的优势，TrendForce集邦咨询旗下光电研究处LEDinside十分看好Micro LED
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硅衬底氮化镓加持，MicroLED时代加速到来
MicroLED被誉为新世代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。微米级的MicroLED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN）Micro LED技术在制程良率、圆晶成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势，已成为业内公认的重要技术路线之一。当前，Plessey、ALLOS 、STRATACACHE、Aledia、MICLEDI等国际企业都在专注于硅衬底Micro LED的开发。在国内，以晶能光电为产业界代表，硅衬底Micro LED
