MicroLED网-新一代显示技术 MiniLED/MicroLED门户网站

MiniLED

当前搜索关键词:进展
  • 福建师大陈大钦团队在无铅双钙钛矿电致白光器件方向取得进展

    近年来,无铅双钙钛矿材料因其具有低毒性、优异稳定性和溶液可加工等优点在光电领域引起极大的关注。但是,无铅双钙钛矿量子点高缺陷密度和低电荷迁移率等缺点导致所构筑的电致发光器件外量子效率(EQE)极低。

  • 青岛新型显示、中山智能光电项目最新进展

    近日,山东青岛市新型显示产业园重点项目和中山火炬工业集团智能光电项目相继传来新进展。青岛开投芯屏产业园一期正式启用

  • 中国科大在基于圆偏振发光的柔性3D显示研究中取得新进展

    柔性3D显示在下一代可穿戴、智能电子科技领域具有重要意义。近日,中国科学技术大学庄涛涛研究员课题组和俞书宏院士研究团队在可打印的手性圆偏振发光材料及其柔性3D图像显示应用方面取得重要进展。

  • 福建物构所在全光谱稀土长余辉及光激励多色发光研究领域获进展

    据悉,福建物构所全光谱稀土长余辉及光激励多色发光研究获进展,相关研究成果以Engineering Trap Distribution to Achieve Multicolor Persistent

  • Meta与宝马合作的车载MR研究取得新进展

    近日,Meta宣布与宝马合作开展的车载MR研究取得新进展。据悉,该联合研究项目于2021年宣布,旨在探索有朝一日将AR和VR集成到智能车辆中,以用于车载娱乐和驾驶员辅助。这项技术可能会彻底改变汽车、火车、飞机等的旅行,解锁新的免提通信、娱乐和实用形式。VR头显配备了许多传感器,但移动的车辆带来了一个棘手的挑战,因为像OculusInsight这样的跟踪技术同时使用惯性运动传感器(IMU)和摄像头来精确估计头显的位置和运动。在非惯性参考系中,这两种模式是冲突的,因为摄像头观察相对于汽车内部的运动,

  • LED显示屏厂商布局MiniLED/MicroLED进展一览

    在政策持续加持和终端厂商加速布局之下,MiniLED在2021年迎来加速普及,成为LED显示行业新的利润增长点。与此同时,Micro LED也已开始初露锋芒,巨量转移等关键技术也取得一定的突破,未来发展可期。Mini/Micro LED,新型显示的优质赛道回顾2021年,MiniLED背光产品应用快速扩大,苹果、三星和TCL等各大品牌终端陆续推出MiniLED背光产品,应用领域涵盖平板、笔记本、电视和显示器,大大加速了MiniLED的商业化进程,带动MiniLED产业链的发展。2022年Mini

  • 瑞丰光电在Mini/MicroLED显示研究领域取得进展

    瑞丰光电MiniLED团队联合南方科技大学,香港科技大学先进显示与光电技术国家重点实验室, 在国际著名学术期刊《纳米材料(Nanomaterials)》(2021, 11(12), 3304),在线发表了题为《对新型Micro/MiniLED 显示中增强环境对比度的研究(Investigation of Enhanced Ambient Contrast Ratio in Novel Micro/Mini-LED Displays)》(该论文属于特刊《量子点与MiniLED显示屏2.0》)的学术

  • 国星光电、芯瑞达等透露Mini/MicroLED业务新进展

    近日,国星光电、芯瑞达、华兴源创相继透露Mini/MicroLED最新布局状况:国星光电:车用业务规模稳定增长;MicroLED微显示获突破针对目前LED行业内关注度较高的车用显示领域,国星光电表示,目前公司已与十几家车企建立合作关系,部分产品已在某款上市及拟上市车型中得以应用,车用业务规模呈稳定增长态势。据悉,国星光电已铺设了汽车内饰 LED汽车外饰 LED、氛围LED和智能交互显示LED线四大类产品路线,形成丰富的LED车用产品矩阵,可为车企客户提供一站式解决方案。国星的车灯LED器件产品均

  • 诺视科技MicroLED像素垂直堆叠取得重大进展

    9月12日,Micro LED微显示芯片公司诺视科技宣布近日成功打通垂直堆叠(VSP)工艺流程,实现AlGaInP和GaN材料体系的单片集成。据介绍,该技术采用晶圆级堆叠(WLVSP)技术方案,在完成AlGaInP红光微显示芯片制备后,继续堆叠InGaN晶圆材料,可实现单个驱动背板上的像素垂直堆叠。诺视科技表示,这是公司在点亮0.39英寸以及其全球最小的0.12英寸红、绿、蓝三原色微显示芯片后,在VSP技术上的又一突破,在完成全波段布局后,向单片全彩Micro LED微显示芯片更进一步。诺视科技

  • 武汉大学在深紫外和全光谱LED芯片取得新进展

    近日,光学领域权威期刊Laser & Photonics Reviews(《激光与光子学评论》,影响因子:11)刊发了我校动力与机械学院周圣军教授团队在发光二极管(Light-emitting Diodes,LEDs)芯片研究领域的最新研究成果。1.大功率AlGaN基超薄隧道结深紫外LED芯片随着联合国通过《水俣公约》,汞灯的生产和使用逐渐受到限制,发展替代传统气态汞灯的新型深紫外光源成为迫切需求。与传统汞灯相比,发光波长在210 nm-300 nm之间的AlGaN基深紫外LED芯片具有

×