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InGaN基全彩化MicroLED再获突破！红光芯片效率显著提升
今年5月，阿卜杜拉国王科学技术大学（KAUST）宣布开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，外量子效率（EQE）有所提升，对实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器有重要的推动作用。在此基础上，KAUST近期又取得了新的突破。据外媒报道，KAUST开发了可在整个可见光光谱范围内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片，实现Micro LED的全彩化。目前，KAUST团队的相关论文已发表在《光子学研究》（Photonics Research）期刊上。据介绍，氮合金
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华灿15亿定增落地！加码Mini/Micro LED及GaN领域
昨（8）日晚间，华灿光电发布公告宣布近15亿元的定增项目募资完毕，将为加速发展第三代半导体业务增添新动能。公告显示，华灿光电本次向5家特定对象发行股票数量为148,075,024股，实际募集资金净额为人民币1,482,911,073.16元。其中，珠海华发实体产业投资获配额约13.1亿元，该公司的主营业务是创业投资、股权投资、资产管理及基金管理，实体产业投资并购、运营管理，高新技术产业园区、孵化器开发运营，公共服务基础设施运营管理，商务综合管理服务，企业管理及咨询。本次发行完成后，华灿的资产总额
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高性能InGaN Micro LED,日本研究者发表最新研究成果
Micro LED的发光效率会随着尺寸微缩而下降，从而导致检测与维修问题增多，这是Micro LED面临的关键技术难题之一。鉴于此，相关技术研究员尝试在外延片生产阶段提高Micro LED的效率。据报道，加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）携手诺贝尔奖得主中村修二先生（Shuji Nakamura）最近发表了一篇论文，描述了一种利用外延隧道结（Epitaxial Tunnel Junctions, TJs）制备高性能I
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ALLOS与KAUST研发高效硅基InGaN红色Micro LED
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。 &n
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韩研究者开发出可折叠GaN Micro LED
据报道，韩国研究者宣布开发出可折叠的氮化镓（GaN）Micro LED，并且可用剪刀剪切。本次研究由韩国世宗大学（Sejong University）及美国得克萨斯大学（University of Texas）合作开展。研究题目为《用于可变形LED和晶圆回收的GaN微米柱异质结构的远程异质外延技术》（Remote heteroepitaxy of GaN microrod heterostructures for deformable light-emitting diodes and wafe
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德国MicroLED技术厂商ALLOS将GaN-on-Si晶圆扩展至300mm
为了解决芯片尺寸不匹配的问题并应对Micro LED生产量的挑战，德国Micro LED技术厂商ALLOS应用其独特的应变工程技术，展示200mm（8寸）硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 晶圆片的出色一致性和可重复性，并同时说明其300mm（12寸）晶圆的成功发展蓝图。良率是Micro LED显示器的成功的关键，并且会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的成本，必须采用大芯片直径。这对于Micro LED应用而言尤其如此，Micro LED需要整合CMOS生产线的芯片与 LED晶圆片整合（
