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Lumileds实现InGaN红光LED新效率，解决MicroLED显示难题
9月17日消息，Lumileds宣布在InGaN红光LED的研发上再次取得了创纪录的新进展。据悉，相较于AlInGaP材料，采用InGaN材料的红光LED，能够与同样基于InGaN材料的绿光和蓝光LE
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MicroLED新突破，晶能光电首发硅衬底 InGaN基三基色外延
近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电产品提供商，为全球客户提供高品质的LED（外延、芯片、封装和模组）光源和感知传感器件产品和解决方案。基于近20年的硅衬底GaN基LED技术和产业化积累，晶能光电早在2020年便推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InG
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鸿海携手阳明交大等开发高色纯度InGaN红光Micro LED
显示技术在我们的生活中扮演着重要角色，广泛应用于智能手机、平板电脑、桌面显示器、电视、车载显示、户外广告牌、数据投影仪和增强现实/虚拟现实设备等。与液晶和有机LED显示器相比，Micro LED具有高亮度、低功耗、高分辨率、高对比度等诸多优点，并具有应对新兴产品应用的潜力。然而，要实现全彩微型显示（full-color display）仍然面临一些困难，特别是高In含量的氮化铟镓（InGaN）基红光Micro LED受到量子局限史塔克效应（quantum confined-Stark effec
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Sundiode与Soft-Epi开发全InGaN堆叠式RGB MicroLED
近日，外媒报道，堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode宣布，与GaN技术开发商Soft-Epi共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。图片来源：Sundiode资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的
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韩国厂商成功开发红色InGaN外延，提升MicroLED性能
韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。业界熟知，制备红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料，但由于物理特性限制，基于AlGaInP材料制备的红光Micro LED效率会随着芯片尺寸的微缩而显著降低，且在巨量转移制程上，AlGaInP材料的缺陷也非常明显。具体来说，AlGaInP材料表面复合率高，若解决这个问题，则会导致LED温度特性不佳。同时，AlGaInP材料力学性能弱，机
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Porotech展出全球首款InGaN 基红光MicroLED 显示器：已跟晶电合作
从英国剑桥大学衍生的Micro LED 公司Porotech 去年在微型显示器技术大突破，于今年Touch Taiwan 2022 发表全球第一套氮化铟镓（InGaN）基的红光、蓝光、绿光的Micro LED 显示器，解析度为1,920 x 1,080，亮度至少可达200 万尼特（≥ 2M nits）。以Micro LED 来说，比起蓝、绿色，红色是最难显示的颜色，成本也相对较高。目前为止，全球光电业界只能使用GaN 基发光器件（如InGaN）生产蓝色、绿色的微显示器，红色微显示器需要混合多种材
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Porotech宣布成功开发全球首款InGaN基红光MicroLED显示器！
昨（19）日，从剑桥大学分拆出去的Micro LED公司Porotech宣布成功开发出全球首款天然红InGaN基Micro LED显示器，显示面积为0.55英寸（对角线），分辨率为960 x 540。Porotech指出，到目前为止，采用GaN基发光器件只能生产出蓝光和绿光微显示器，而红光微显示器的生产依赖于AlInGaP基器件。AlInGaP材料由于载流子扩散长度大和表面复合速度高等因素，难以生产出性能达标的小尺寸显示器，其产品效率会随着器件尺寸缩小而急剧降低。此外，若要实现全彩化显示，也只能
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InGaN基全彩化MicroLED再获突破！红光芯片效率显著提升
今年5月，阿卜杜拉国王科学技术大学（KAUST）宣布开发出一款新型InGaN基红光Micro LED芯片，外量子效率（EQE）有所提升，对实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器有重要的推动作用。在此基础上，KAUST近期又取得了新的突破。据外媒报道，KAUST开发了可在整个可见光光谱范围内高效发光的Micro LED（μLEDs）芯片，实现Micro LED的全彩化。目前，KAUST团队的相关论文已发表在《光子学研究》（Photonics Research）期刊上。据介绍，氮合金
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高性能InGaN Micro LED,日本研究者发表最新研究成果
Micro LED的发光效率会随着尺寸微缩而下降，从而导致检测与维修问题增多，这是Micro LED面临的关键技术难题之一。鉴于此，相关技术研究员尝试在外延片生产阶段提高Micro LED的效率。据报道，加州大学圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）携手诺贝尔奖得主中村修二先生（Shuji Nakamura）最近发表了一篇论文，描述了一种利用外延隧道结（Epitaxial Tunnel Junctions, TJs）制备高性能I
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ALLOS与KAUST研发高效硅基InGaN红色Micro LED
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。 &n
