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KAUST大学李晓航教授团队研发MicroLED制造新工艺
Micro-LED具有强亮度，高对比度，长工作寿命，良好的能量转换效率等技术优势。这使其成为下一代显示技术的有力竞争者，在近些年引发广泛关注。优化制造工艺以持续提升器件性能是当前 Micro-LED
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名城大学与KAUST研发叠层全彩MicroLED
近日，外媒报道，日本名城大学与沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）共同研发了像素密度为330PPI的单片叠层RGB氮化镓铟（GaInN）Micro LED阵列。研究人员表示，该产品可应用在AR/VR/MR等头戴智能设备上，这些设备所需的微米级像素显示无法通过机械组装技术制造，因此需要用到单片制造技术。对于氮化镓铟材料的应用，研究人员解释到，虽然基于氮化镓铟的LED在较长波长下遇到了较大的效率问题，但对于可见光谱里的红光效率，氮化镓铟已取得了新的进展。此外，相较常用的红光LED材料磷化铝镓铟，氮
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KAUST:已开发出17 x 17 μm红色 MicroLED
沙特阿拉伯的研究人员开发出Micro LED，可以有效地发射整个可见光谱的光。阿卜杜拉国王科技大学 (KAUST) 的团队认为，Micro LED是用于头戴式显示器、手机和电视的下一代 Micro LED 显示器的“理想构建模块”，因为它们具有亮度、响应速度快和能耗低的特点。与传统 LED 显示器一样，Micro LED 产品将需要红色、蓝色和绿色光源阵列。氮化物基合金是一组半导体材料，为实现这一目标提供了途径，因为通过正确的化学混合，它们可以发出所有三种颜色。然而，当氮化物器件的尺寸减小到微米
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ALLOS与KAUST研发高效硅基InGaN红色Micro LED
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。据了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效应（quantum-confined Stark effect，QCSE）等问题限制了红色氮基LED在实际工业应用中的使用，而ALLOS与KAUST本次合作将致力于解决这些基本问题。 &n
