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总投资80亿元,湖南三安半导体项目二期工程开工

MicroLED.cn 企业动态 2022-07-19 22:17:35 3869 0 | 文章出自:ledinside MiniLED

7月14日,长沙湘江新区全域145个重大项目集中启动开竣工仪式,其中,湖南三安半导体项目二期项目工程正式开工。

三安半导体二期项目总投资80亿元,占地面积480亩,按照规划,二期项目预计将于今年内建成投产。

资料显示,湖南三安半导体项目总投资约160亿元,占地面积约1000亩,主要建设具有自主知识产权,以碳化硅、氮化镓等为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地。

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该项目分两期建设,建设周期为48个月。一期项目主要聚焦碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器件封装等厂房及相关配套设施建设,项目产品主要应用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等领域。

2021年6月,项目一期已实现点亮试投产,成为国内首条、全球第三条SiC垂直整合产线,产线覆盖衬底材料、外延生长、晶圆制造、封装测试等主要环节,建成后可实现6英寸SiC晶圆月产能30,000片。

据悉,目前一期项目长晶、衬底、外延、芯片车间已全线正式批量生产,月产能力2万片。整个项目达产后,将实现年产值120亿元,年税收13亿元,增加就业1.2万人。

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