-
广东省科学院半导体研究所在深紫外发光结构制备方面取得进展
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)具有无汞污染、电压低、体积小、利于集成等诸多优势，在公共卫生、环境保护、生化检测、医疗、国防等领域具有广泛应用。但当前AlGaN基DUV LED的电光转换
-
中国科大制备出高效稳定的钙钛矿单晶LED
近日，中国科学技术大学物理学院、中科院强耦合量子材料物理重点实验室及合肥微尺度物质科学国家研究中心的肖正国教授研究组在制备高效稳定的钙钛矿单晶LED领域取得重要进展。该研究团队利用空间限制法生长出高质量、大面积、超薄的钙钛矿单晶，并首次制备出亮度超过86,000 cd/m2，寿命高达12500 h的钙钛矿单晶LED，向钙钛矿LED应用于人类照明迈出了重要一步。相关成果以“Highly bright and stable single-crystal perovskite light-emitti
-
浙大科学家制备出超长工作寿命的钙钛矿LED
钙钛矿发光二极管（钙钛矿LED）是在显示、照明、通讯等领域极具潜力的新一代发光技术。钙钛矿LED制备成本低，且技术优势显著：它具备与OLED类似的轻薄、柔性等特点，也具有与III-V族半导体LED相似的色纯度与光谱可调性。仅经过短短数年的发展，钙钛矿LED的效率就已可与成熟的发光技术媲美。然而，与钙钛矿太阳能电池类似，钙钛矿LED的不稳定性是实现产业应用的最大挑战。目前高性能钙钛矿LED的寿命一般在10-100小时量级。而OLED技术步入产业化所需的寿命至少为10000小时。此方向面临重大挑战，
-
在纳米孔中插入量子点可制备高效可靠的MicroLED
由MicroLED制成的显示器因其使用寿命长、亮度高和效率出色而引起了极大的关注。一些科技巨头，如苹果（Apple）和三星（Samsung），正在利用巨量转移或纳米打印技术来开发microLED显示器。经过多年紧锣密鼓的发展，但几个关键技术问题仍在阻碍microLED前进步伐。那些红光LED受到低效率和热光衰的困扰，限制了显示器的性能；制备间距小于10μm的器件具有挑战性，而这是用于增强现实和混合现实的微型显示器的要求；随着LED尺寸的缩小，器件分拣变得更难且更昂贵。最令人担忧的是，生产成本很高
-
