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总投资15亿，华灿光电加码Mini/MicroLED高性能外延及芯片
近日，华灿光电发布公告宣布，公司子公司华灿光电（苏州）有限公司（以下简称“苏州子公司”）与张家港经济技术开发区管理委员会签署《新型全色系Mini/Micro LED高性能外延与芯片的研发及生产化项目投资协议》。公告显示，该项目拟由华灿光电通过自筹资金投资建设，总投资15亿元人民币，其中固定资产投资7.5亿元、流动资金7.5亿元，计划项目建设周期为四年。项目拟选址于张家港经济技术开发区晨丰公路28号的苏州子公司现有厂区。华灿光电表示，本协议的签署符合公司战略发展布局，推进公司新型高性能产品的研发及
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MicroLED外延技术三大挑战，MOCVD设备如何攻关？
下一代终极显示技术MicroLED任重而道远，这是行业的共识，而对于MicroLED技术瓶颈问题，产业链厂商亦同样了然于胸。近几年来，海内外厂商一直致力于突破MicroLED产业链不同环节的技术痛点，寻求更好的解决方案。如今，无论是设备的速度和良率、芯片的巨量转移、检测、修复和驱动技术，还是红光芯片的效率问题等，皆取得不同程度的进展。MicroLED外延片三大挑战相对于芯片、封装、模组、应用等环节而言，产业链前端的外延技术或多或少有些“讳莫如深”，许多有关外延技术的要点仍不熟为人知。实际上，外延
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采用直接外延方法实现单片芯片集成一个HEMT和高调制带宽的单个MicroLED
摘要:可见光通信(VLC)需要具有高调制带宽的三氮化体可见微光发光二极管(MicroLED)。这样的MicroLED需要驱动在一个kA/cm2尺度上的高注入电流密度，大约是2个数量级 比正常的可见LED操作要高。MicroLED通常采用干法蚀刻技术制备，而干法蚀刻导致的损伤是不可避免的性能的大幅下降和生存能力的巨大挑战，在高注射电流密度。此外，传统的偏置(这是简单地应用在p−n结)是足够好的正常LED操作，但产生了一个巨大的挑战，单MicroLED，需要在高注入电流密度
