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厦门大学在GaN基MicroLED研究领域取得新进展
近日，电子科学与技术学院梅洋助理教授等在氮化镓Micro LED方面取得新进展，相关成果以“Improvement of the Emission Intensity of GaN-Based Micro-Light Emitting Diodes by a Suspended Structure”为题发表于期刊ACS Photonics。一、研究背景氮化镓（GaN）基Micro LED由于在新一代显示技术、高速可见光通信等方面有着广泛的应用前景，吸引了众多研究者的关注。相比于常规尺寸LED，M
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Sundiode与Soft-Epi开发全InGaN堆叠式RGB MicroLED
近日，外媒报道，堆叠式RGB Micro LED微型显示器开发商Sundiode宣布，与GaN技术开发商Soft-Epi共同实现在单个蓝宝石晶圆上生长单片全InGaN RGB LED结构。图片来源：Sundiode资料显示，Sundiode总部位于美国加州，致力于开发用于AR/MR等设备的Micro LED显示技术。2021年4月，Sundiode公布其专有的堆叠式RGB Micro LED像素技术。与传统Pick & Place工艺单独转移R/G/B三个像素方式不同，Sundiode的
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华灿光电：MicroLED持续小批量出货，GaN电力电子器件明年投放市场
近日，华灿光电发布投资者关系活动记录表，介绍公司Micro LED、化合物半导体业务最新进展。在Micro LED订单方面，华灿光电表示，公司的Micro LED常规产品已持续小批量供应国内外头部企业，且产品性能和良率稳步提升。据悉，目前华灿光电Micro LED主要产能集中在4英寸与6英寸产品。在Micro LED技术方面，通过与战略客户持续在前瞻性项目进行紧密合作，华灿光电在Micro LED尺寸微缩化、器件结构设计、波长均匀性、性能、良率等方面取得进展；巨量转移技术通过与设备厂商联合开发，
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MicroLED | 韩Soft-Epi宣布红色GaN外延晶片量产出货
Soft-Epi是一家韩国科技公司，一直致力于使用MOCVD进行GaN基外延晶片的生长，近日，该公司宣布正在向客户出货MicroLED用GaN红色外延晶片。根据外媒Compound Semiconductor报道，据该公司表示，他们开发了一种具有突破性的技术，凭借该技术他们现在已经可以使用现有MOCVD设备批量生产红色Micro-LED外延晶片，整个量产过程没有增加额外的设备投资。图1. 韩国GaN外延领域的专业公司Soft-Epi为红色MicroLED的量产提供突破性技术众所周知，Micro-
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韩国厂商成功开发红色InGaN外延，提升MicroLED性能
韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。业界熟知，制备红光Micro LED普遍采用AlGaInP材料，但由于物理特性限制，基于AlGaInP材料制备的红光Micro LED效率会随着芯片尺寸的微缩而显著降低，且在巨量转移制程上，AlGaInP材料的缺陷也非常明显。具体来说，AlGaInP材料表面复合率高，若解决这个问题，则会导致LED温度特性不佳。同时，AlGaInP材料力学性能弱，机
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Porotech展出全球首款InGaN 基红光MicroLED 显示器：已跟晶电合作
从英国剑桥大学衍生的Micro LED 公司Porotech 去年在微型显示器技术大突破，于今年Touch Taiwan 2022 发表全球第一套氮化铟镓（InGaN）基的红光、蓝光、绿光的Micro LED 显示器，解析度为1,920 x 1,080，亮度至少可达200 万尼特（≥ 2M nits）。以Micro LED 来说，比起蓝、绿色，红色是最难显示的颜色，成本也相对较高。目前为止，全球光电业界只能使用GaN 基发光器件（如InGaN）生产蓝色、绿色的微显示器，红色微显示器需要混合多种材
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AlGaN紫外MicroLED
摘要：基于AIGaN的紫外线led在灭菌、消毒、净化、光疗等多个 领域有着广泛的应用，但其性能仍需进一步提高。由于减小LED尺 寸，具有更好的电流扩散、较低的自热效应和更高的光提取效率等 优点，紫外MicroLED有望提高量子效率，从而扩大更多的潜在应用。 本文将综述紫外MicroLED的性能增强技术和应用，为进一步发展基于 algan的紫外-led提供了展望。MicroLED格式为解决UVled普遍面临的 基本问题提供了可能性，但也展
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聚灿光电：MiniLED产能正有序释放，GaN基芯片研究推进中
1月19日，聚灿光电在投资者关系平台上答复了投资者的问题。关于MiniLED的优势与公司MiniLED业务目前进展情况，聚灿光电指出，MiniLED在色彩、画面呈现的细腻程度等方面都有着更强的优势。公司的MiniLED产品在符合基础标准的前提下，进一步高要求产品性能，以提高产品竞争力。公司募投项目扩产计划中部分生产与MiniLED相关，目前MiniLED整体产能释放正在有序进行。据了解， 2020年，聚灿光电募资9.5亿元用于高光效LED芯片扩产升级项目，此项目主要研发和生产Mini/Micro
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国星光电:公司MicroLED芯片实现小批量供货 已开展GaN功率器件研发工作
近日，国星光电在接受投资者调研时表示，公司聚焦Mini/Micro LED超高清显示领域， 持续推出有核心竞争力的产品系列：Mini LED方面，公司研发覆盖了Mini直显P0.4到P0.9全系列产品，其中 Mini LED P0.4系列产品为全球首发，采用独创 20in1 封装方式，是目前全球封装密度最高的Mini产品；Mini背光方面，公司储备Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技术路线，可满足不同客户定制化需求。Micro LED方面，国星光电发挥子公司国星半导体与本部
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Porotech宣布成功开发全球首款InGaN基红光MicroLED显示器！
昨（19）日，从剑桥大学分拆出去的Micro LED公司Porotech宣布成功开发出全球首款天然红InGaN基Micro LED显示器，显示面积为0.55英寸（对角线），分辨率为960 x 540。Porotech指出，到目前为止，采用GaN基发光器件只能生产出蓝光和绿光微显示器，而红光微显示器的生产依赖于AlInGaP基器件。AlInGaP材料由于载流子扩散长度大和表面复合速度高等因素，难以生产出性能达标的小尺寸显示器，其产品效率会随着器件尺寸缩小而急剧降低。此外，若要实现全彩化显示，也只能
