近日，东莞市发改委正式发布《东莞市发展半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划（2022－2025年）》（以下简称“计划”）。
到2025年，东莞市集成电路产业营业收入超800亿元，力争达到1000亿元，并建成华南地区第三代半导体材料及应用创新重要基地，并在封装测试、芯片设计和第三代半导体等细分领域实现国产化替代等具体目标。
图片来源：东莞市发改委
近年来，东莞在集成电路研发设计、封装测试和第三代半导体等领域集聚了一批企业，形成了一定的产业规模。
目前全市拥有涉及半导体及集成电路研发、生产与销售的企业257家，大多集中在封装测试和研发设计环节，2021年实现主营业务收入约256亿元，其中上市企业4家。
2025年，东莞的四大目标
《计划》中，东莞是提出了到2025的四大目标。
1、到2025年，东莞市集成电路产业营业收入超800亿元，力争达到1000亿元，年均增速超过25%；
2、东莞市第三代半导体产业将具有全国竞争力，建成华南地区第三代半导体材料及应用创新重要基地，基本形成碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）衬底和外延材料、芯片/器件、应用的完整产业链；
3、企业创新研发投入占销售收入比重超过5%，自主研发和引进消化吸收一批关键核心技术，在封装测试、芯片设计和第三代半导体等细分领域实现国产化替代；
组建一批高水准的企业研发中心，第三代半导体和集成电路技术创新平台、产学研合作平台等达到3个以上；
加快集聚创新人才，引进和培养第三代半导体和集成电路领军人才30人以上、领军团队10个以上；
4、基本建成配套设施齐全、服务功能完善、规模效应明显、上下游紧密配合的集成电路产业集聚区。集成电路专业公共服务平台数量达到3个以上。
积极推动第三代半导体的发展
《计划》中提出，将第三代半导体突破工程作为重点，积极推动氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、图形化蓝宝石（PSS）等第三代半导体材料在衬底、外延、器件、制备设备等方面的研发、产业转化，加快第三代半导体芯片应用推广。
重点发展应用于新能源汽车、智能电网、智慧电源等领域的中高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（大功率绝缘栅双极型晶体管）等SiC电子电力器件；应用于5G通信的GaN高功率射频器件、GaN功率放大器、GaN微波集成电路芯片等GaN微波射频器件；应用于新型显示Mini/Micro－LED、激光器等领域的GaN光电器件。
推动建设4－8英寸SiC和GaN衬底、外延及芯片/器件生产线，打通SiC/GaN材料－SiC/GaN芯片/器件－SiC/GaN应用的完整产业链，加快实现进口替代。
材料及关键电子元器件补链工程方面，大力引进技术领先的第三代半导体IDM企业，支持建设射频、传感器、电力电子等器件生产线，形成配套材料和封装能力。
特种装备及零部件配套工程方面，大力引进国内外沉积设备、刻蚀设备、等离子清洗机、薄膜制备设备、第三代半导体设备等领域的龙头企业。
对于重点发展的第三代半导体、集成电路制造和封装测试等领域项目，积极争取列入省重点建设项目计划，获得省先进制造业政策支持。
