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JBD、兆驰半导体等公布多项MicroLED专利

更新时间:2025-11-18 17:35:50 作者:MicroLED网 来源:ledinside
近日,从国家知识产权局网站了解到,多家企业与高校单位公布了最新Micro LED专利技术,涉及微显示技术、红光效率、车灯应用、光互连技术等。
 
JBD: 公布多个微型LED显示技术专利

JBD申请一项名为“微型LED像素数字驱动电路的系统和方法”的专利,公开号CN120937068A。
  

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图片来源:国家知识产权局
 
专利摘要显示,这是一种微型LED像素数字驱动电路,通过数字微型LED像素驱动系统驱动微型LED像素(1)在显示屏上显示图像。
 
此外,JBD申请了一项“微型LED显示面板”专利,公开号CN120958507A。专利摘要显示,其包括:微型LED显示芯片(110),用于显示图像;微型机械结构(120),围绕所述微型LED显示芯片(110)设置,用于控制所述微型LED显示芯片(110)的移动;支撑结构(130),适于支撑所述微型LED显示芯片(110)和所述微型机械结构(120)。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
“微型LED像素驱动电路的系统与方法”专利,公开号CN120937069A。专利提供一种微型LED像素驱动电路,所述微型LED像素驱动电路包括逻辑运算模块和像素驱动模块。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
兆驰半导体:公布多个Micro LED生产专利
 
兆驰半导体也有多个Micro LED生产相关专利技术公布。其中“一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统”,公开号为CN120905771A。该专利公开了一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统,能够实现晶圆热膨胀的实时补偿,有利于批量生产的进行。
 

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图片来源:国家知识产权局
  
“一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法”,公开号CN120897588A。该专利公开了一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法,通过梯度斜切角进行半导体层的制作,解决了现有技术中边缘波长失控、位错密度过高、热应力累积导致的Micro LED巨量转移良率低的问题。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
微玖光电:公布多个Micro LED专利,涉及降低功耗、新型封装、抗热衰技术

微玖光电公布了多个Micro LED专利,其中包括“一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法”,公开号CN120957538A。公开了一种低串扰的Micro LED矩阵大灯的制备方法,工艺与现有产线兼容,适用于汽车、船舶等多场景Micro LED矩阵大灯制备。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
“一种降低红光Micro LED功耗的方法”,公开号CN120957531A。专利公开了一种降低红光Micro LED功耗的方法,兼顾低接触电阻与N侧透光率,兼容Si、蓝宝石等衬底,工艺适配性强,功耗降低,提升器件可靠性与批次良率,适用于Mini/Micro LED显示等领域。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
“一种新型Micro LED产品封装及光学结构”,公开号CN120957544A。专利公开了一种新型Micro LED产品封装及光学结构,适配批量生产与小批量试产需求,降低成本;减少封装与透镜装配的整体厚度,实现产品轻薄化。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
“一种抗热衰红光Micro LED外延正结构及制备方法”,公开号CN120957533A,申请公开了一种抗热衰红光Micro LED外延结构及其制备方法,解决了现有技术高温下载流子损失与复合效率低的问题,使85℃外量子效率衰减率≤10%,寿命延长至5万小时以上,且工艺兼容量产,适用于显示、照明等领域。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所:Micro/Nano LED阵列制备技术

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所公布了一项“多维度混合Micro/Nano LED阵列及其制备方法”专利,公开号为CN120897597A。专利涉及一种多维度混合Micro/Nano LED阵列及其制备方法,具有器件阵列尺寸可控,可提高发光效率等特点。
 

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图片来源:国家知识产权局
 
中南大学:基于Micro-LED的光互连芯片及封装方法
 
中南大学公布了“基于Micro-LED的光互连芯片及封装方法”的专利技术,公开号为CN120891595A。该MicroLED阵列技术凭借并行架构、超低功耗、高稳定性的优势能够成为短距离光通信的理想方案。
 

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图片来源:国家知识产权局