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聚焦车载LED芯片技术，天马与三安半导体开启战略合作
2023年11月21日，天马微电子股份有限公司（以下简称“天马微电子”）与厦门市三安半导体科技有限公司（以下简称“三安半导体”）举行了“战略合作协议”签约仪式。根据协议，双方将围绕车载LED芯片技术展
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Q-Pixel联手半导体孵化公司，加速全彩MicroLED显示开发
近日，美国Micro LED厂商Q-Pixel宣布加入半导体硬件孵化企业Silicon Catalyst，以加速全彩Micro LED显示器的制造。
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芯瑞达、海信、首尔半导体共建实现室，发力MiniLED等
近日，芯瑞达在互动平台上表示，为推动新型显示行业包括MiniLED等先进显示与光学技术进步，公司近日与海信视像、首尔半导体三方签署协议，共建联合实验室。
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总投资60亿元，湖南娄底半导体MLED项目主体封顶
10月18日，湖南娄底半导体MLED显示芯片、模组项目举行封顶仪式。该项目于今年7月28日开工，共建设13个单体厂房，建筑面积6.3万平方米。项目从开工建设到主体结构全面封顶，仅用时82天。图片来源：
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海信乾照江西半导体基地项目签约南昌
8月28日，乾照光电发布公告宣布，公司与江西南昌市新建区人民政府于近日签订海信乾照江西半导体基地项目协议书，就公司在新建区投资建设“海信乾照江西半导体基地项目”初步达成协议。公告显示，海信乾照江西半导体基地项目选址江西新建经济开发区，规划使用南昌基地现有厂房和土地资源生产LED产品，实现月产能50万片（折2寸片）。建设周期自本协议生效之日起，1周之内启动项目工作，2024年6月前开始投产。据了解，乾照光电主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务，主要产品为全色系LED外延片和芯片及砷化镓太阳
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江苏盐南与tetos、兴恒立半导体洽谈MicroLED项目
近期，江苏盐南区区管委会副主任、党工委委员袁永军接待韩国tetos公司社长Ahn Woo Young、苏州兴恒立半导体科技有限公司（以下简称“兴恒立半导体”）创始人王磊一行来盐考察洽谈。双方就“Micro LED侧面布线3D设备研发制造项目”的合作方案进行深入沟通。图片来源：盐南发布资料显示，兴恒立半导体是一家集研发，制造，销售半导体设备及部件一体化的创新型技术企业。公司设备有晶圆切割机、研磨机、DRAM ATE TEST、半导体显示Probe Unit、AOI检查设备、半导体材料销售和治具等。
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总投资60亿元，湖南娄底半导体Mini/MicroLED项目开工
月28日，位于湖南娄底的半导体显示新材料产业园正式开工建设，产业园总投资60亿元，由湖南蓝芯微电子科技有限公司的Mini/MicroLED显示芯片、湖南奥蓝新材料科技有限公司的Mini/MicroLED显示模组两个项目组成，建设周期10个月。达产后可年产50万片Mini/MicroLED核心组件、6.6万平方米Mini/MicroLED显示模组，新增就业1600人。图片来源：娄底新闻网资料显示，蓝芯微电子成立于2023年，注册资本15亿元人民币，经营范围包括：集成电路设计；集成电路芯片及产品制造
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发力MiniLED，骏码半导体收购COB相关技术
6月14日，骏码半导体发布公告宣布与BVI Holdings订立协议，BVI Holdings（作为实益拥有人）同意向骏码半导体出售知识产权，总代价为3800万港元（约合人民币3484万元），较初步估值折让约4.3%。根据协议，BVI Holdings的主要业务为投资控股，出售知识产权包括COB封装技术及FC-BGA封装技术，分别为2820万港元及980万港元。其中，COB封装技术为应用于板上芯片压缩成型封装的液体封装胶的技术；FC-BGA封装技术为应用于倒装芯片球栅阵列封装的半固态封装胶的技术
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元旭半导体天津Mini/Micro LED生产基地项目开工
6月8日，元旭半导体天津生产基地开工活动于天津滨海高新区顺利举行。图片来源：元旭半导体据介绍，元旭半导体天津生产基地项目总用地面积为61840.9平方米，一期建设总投资额约为3.58亿元，计划竣工日期为2024年1月30日，生产设备调试期为2024年3月。项目建成后，将达成年产3万平方米Mini/Micro LED显示模组的生产规模，年产值达10亿元。元旭半导体天津生产基地配备全新第三代半导体光电芯片研发中心和生产线，包含1,000平方米百级净化车间，1.1万平方米千级、万级净化车间, 研发楼、
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兆驰半导体公布两项Micro LED专利技术
6月20日，兆驰半导体官方宣布，公司近日在Micro LED领域取得了两项专利技术，专利名称分别是“一种Micro LED芯片及其制备方法”和“一种用于Micro LED芯片及其制备方法”。其中，6月6日，兆驰半导体公布了“一种Micro LED芯片及其制备方法”的发明专利。图片来源：兆驰半导体该发明提供一种Micro LED芯片及其制备方法，该方法通过将红绿蓝三色外延层制备在同一个衬底上，然后再依此制备电流扩展层、反射墙、第一电极、布拉格反射层、第二电极及焊盘层，且所述反射墙设置于红绿蓝三色四
