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  • 京东方与英特尔推出新技术,可降低65%显示功耗

    在9月4日的京东方全球创新伙伴大会 2024(BOE IPC?2024)上,英特尔与京东方共同介绍了一些前沿技术成果。

  • 深圳卫视:国际半导体显示博览会在深开幕,前沿新技术集中亮相_复制

    为期三天的UDE2024国际半导体显示博览会圆满拉下帷幕。作为“声、光、视、讯、显、元宇宙”产业畅通海内外市场双循环的“加速器”和半导体显示产业链“稳定器”,本届UDE2024以其出色的商贸表现为参展

  • 深圳卫视:国际半导体显示博览会在深开幕,前沿新技术集中亮相

    为期三天的UDE2024国际半导体显示博览会圆满拉下帷幕。作为“声、光、视、讯、显、元宇宙”产业畅通海内外市场双循环的“加速器”和半导体显示产业链“稳定器”,本届UDE2024以其出色的商贸表现为参展

  • 上海大学开发芯片键合新技术,提升MicroLED性能

    12月18日消息,上海大学研究团队最近展示了一种提高下一代Micro LED 微型显示器设备集成度和性能的技术。

  • 国内外高校研发MicroLED制造新技术

    近日,国内外高校在Micro LED研究领域取得了新的重要进展。其中,香港科技大学的研究团队展示了一种新技术,通过利用InGaN和AlGaInP半导体材料的异质集成,成功实现了全彩Micro LED显

  • LG开发Micro LED巨量转移新技术,转移良率达99.99%

    5月3日消息,来自韩国LG电子材料与器件高级研究中心的研究人员在《自然》(nature)杂志上发表了一篇论文,提出了一种新的Micro LED巨量转移方案,可在15分钟内完成RGB三色LED的转移,转移良率达99.99%。论文指出,Micro LED技术正在商业化应用于数字标牌等大尺寸显示屏上,且LED与显示行业正在针对Micro LED的其他应用开展研发计划,如AR/VR设备、柔性显示屏、生物成像等。然而,目前Micro LED在巨量转移环节上仍面临阻碍,需提高效率、良率以及适配第10代以上(

  • KAIST研发外延新技术,可提高Micro LED效率

    3月22日消息,韩国科学技术院(KAIST)电气电子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究团队,重新研究了Micro LED(μLED)的效率下降现象,并发现可通过外延结构工程从根本上解决问题。据悉,Micro LED的制造需通过刻蚀工艺,将晶圆上生长的外延结构切割成圆柱体或长方体形状而形成,刻蚀工艺同时伴随着基于等离子体的制造工艺。然而,这些等离子体会在Micro LED像素制造过程中在像素侧壁形成缺陷。随着像素尺寸变小和分辨率的提高,像素的表面积与体积比增加,加工过程中出现的器件侧壁缺

  • KAIST研发MicroLED像素制造新技术

    3月8日消息,韩国科学技术院(KAIST)物理系 Yong-Hoon Cho 教授的研究团队,开发了一项制造超高分辨率LED显示器的核心技术,通过聚焦离子束(focused ion beams)实现了0.5微米的LED像素,小于头发平均厚度的 1/100。通过 He 聚焦离子束 (FIB) 照射 LED 器件制造超高密度亚微米像素(图片来源:KAIST)据介绍,超高分辨率LED显示屏的像素化,通常依赖于物理切割像素周围区域的蚀刻方法,但是随着LED像素变小,其周围出现各种缺陷,如电流泄漏增加和发

  • 京瓷开发新技术,可将MicroLED制造成本减半

    近日,据相关媒体报道,日本京瓷(Kyocera)开发了一种Micro LED制造新技术,通过硅衬底取代传统昂贵的蓝宝石衬底,将Micro LED成本降至一半以下。据悉,硅衬底GaN技术是目前Micro LED制造重要路线之一。相较传统的蓝宝石衬底GaN技术,硅衬底GaN技术在制程良率、晶圆成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势。而京瓷研发的新技术,具体而言是通过硅衬底上形成氮化镓层,并留出狭长的缝隙进行遮蔽,然后在氮化镓层上再次成膜,氮化镓层从缝隙中延伸到掩膜材料之上,将其剥离之后即可完成制作。

  • 联建光电发布显示新技术,从源头消除屏幕亮暗线问题

    3月1日,联建光电在其公众号发布最新显示技术"三位一体亮暗线消除术",据称,该显示技术将有效解决目前LED显示行业普遍存在的屏幕亮暗线问题。联建光电指出,由于LED显示屏幕部分灯珠间距大于或小于标准的点间距,LED屏幕部分显示区域视觉亮度较低或较高,因此导致LED屏幕出现暗线或亮线问题,且这种情况大多发生在LED屏幕的拼接处。图片来源:联建光电公众号联建光电表示,当LED屏幕出现亮暗线问题时,屏幕的显示效果将会受到影响,出现显示画面亮度不均、断裂和残缺问题。而亮暗线问题目前难