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TCL华星宣布量产印刷OLED专显屏并发布全新技术品牌APEX
11月16日，以“臻图视界，洞见万象”为主题的2024年TCL华星全球显示生态大会（DTC2024）在广州·白云国际会议中心·越秀万豪酒店盛大启幕。大会汇聚了数百名全球显示行业精英、专家学者、媒体以及
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深圳卫视：国际半导体显示博览会在深开幕，前沿新技术集中亮相_复制
为期三天的UDE2024国际半导体显示博览会圆满拉下帷幕。作为“声、光、视、讯、显、元宇宙”产业畅通海内外市场双循环的“加速器”和半导体显示产业链“稳定器”，本届UDE2024以其出色的商贸表现为参展
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深圳卫视：国际半导体显示博览会在深开幕，前沿新技术集中亮相
为期三天的UDE2024国际半导体显示博览会圆满拉下帷幕。作为“声、光、视、讯、显、元宇宙”产业畅通海内外市场双循环的“加速器”和半导体显示产业链“稳定器”，本届UDE2024以其出色的商贸表现为参展
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国内外高校研发MicroLED制造新技术
近日，国内外高校在Micro LED研究领域取得了新的重要进展。其中，香港科技大学的研究团队展示了一种新技术，通过利用InGaN和AlGaInP半导体材料的异质集成，成功实现了全彩Micro LED显
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LG开发Micro LED巨量转移新技术，转移良率达99.99%
5月3日消息，来自韩国LG电子材料与器件高级研究中心的研究人员在《自然》（nature）杂志上发表了一篇论文，提出了一种新的Micro LED巨量转移方案，可在15分钟内完成RGB三色LED的转移，转移良率达99.99%。论文指出，Micro LED技术正在商业化应用于数字标牌等大尺寸显示屏上，且LED与显示行业正在针对Micro LED的其他应用开展研发计划，如AR/VR设备、柔性显示屏、生物成像等。然而，目前Micro LED在巨量转移环节上仍面临阻碍，需提高效率、良率以及适配第10代以上（
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KAIST研发外延新技术，可提高Micro LED效率
3月22日消息，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系Sang Hyeon Kim教授的研究团队，重新研究了Micro LED（μLED）的效率下降现象，并发现可通过外延结构工程从根本上解决问题。据悉，Micro LED的制造需通过刻蚀工艺，将晶圆上生长的外延结构切割成圆柱体或长方体形状而形成，刻蚀工艺同时伴随着基于等离子体的制造工艺。然而，这些等离子体会在Micro LED像素制造过程中在像素侧壁形成缺陷。随着像素尺寸变小和分辨率的提高，像素的表面积与体积比增加，加工过程中出现的器件侧壁缺
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KAIST研发MicroLED像素制造新技术
3月8日消息，韩国科学技术院（KAIST）物理系 Yong-Hoon Cho 教授的研究团队，开发了一项制造超高分辨率LED显示器的核心技术，通过聚焦离子束（focused ion beams）实现了0.5微米的LED像素，小于头发平均厚度的 1/100。通过 He 聚焦离子束 (FIB) 照射 LED 器件制造超高密度亚微米像素（图片来源：KAIST）据介绍，超高分辨率LED显示屏的像素化，通常依赖于物理切割像素周围区域的蚀刻方法，但是随着LED像素变小，其周围出现各种缺陷，如电流泄漏增加和发
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京瓷开发新技术，可将MicroLED制造成本减半
近日，据相关媒体报道，日本京瓷（Kyocera）开发了一种Micro LED制造新技术，通过硅衬底取代传统昂贵的蓝宝石衬底，将Micro LED成本降至一半以下。据悉，硅衬底GaN技术是目前Micro LED制造重要路线之一。相较传统的蓝宝石衬底GaN技术，硅衬底GaN技术在制程良率、晶圆成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势。而京瓷研发的新技术，具体而言是通过硅衬底上形成氮化镓层，并留出狭长的缝隙进行遮蔽，然后在氮化镓层上再次成膜，氮化镓层从缝隙中延伸到掩膜材料之上，将其剥离之后即可完成制作。
