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国内外高校研发MicroLED制造新技术

更新时间:2023-11-23 19:28:35 作者:MicroLED网 来源:

近日,国内外高校在Micro LED研究领域取得了新的重要进展。其中,香港科技大学的研究团队展示了一种新技术,通过利用InGaNAlGaInP半导体材料的异质集成,成功实现了全彩Micro LED显示器的制作。这一突破性的技术,为全彩Micro LED显示器的制造提供了新的可能性。

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研究团队成功地制造了一款Micro LED微型显示器原型,具有200x80像素和每英寸391像素的超高分辨率。为了实现全彩显示效果,团队开发了一种集成蓝、绿和红光的Micro LED阵列双层显示架构。通过异质集成的方法,团队能够利用InGaNAlGaInP材料的高效率分别实现蓝、绿和红光发射。

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与现有的多堆栈晶圆键合或颜色转换等技术相比,新技术简化了制造流程。利用该技术,研究团队成功地在微显示器上显示全彩图像,显示器具有109% sRGB色域和300尼特的亮度。研究团队表示,通过增强像素驱动器和优化GaN双色外延片的方法,可以进一步改善微显示器的颜色混合并实现超过4000尼特的亮度。

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此外,谢菲尔德大学的研究人员开发了一种名为Confined selective epitaxy (CSE) 的新技术。该技术允许在外延生长过程中直接形成Micro LED,而不是使用传统的蚀刻工艺。新技术避免了等离子体损坏,显著提高了Micro LED的性能和功能。

研究团队表示,CSE技术可以有效解决Micro LED面临的多项生产挑战。在效率方面,CSE技术实现了尺寸为3.6μm的绿光Micro LED,峰值外部量子效率达到9%,较蚀刻技术打造的Micro LED提升1~5%。在波长方面,CSE技术可实现以直接生长红光642nmMicro LED,具有1.75%的外量子效率。在电流泄漏方面,CSE技术可将Micro LED侧壁泄漏电流密度降低至3×10-6A/cm²,减少显示器像素的无意激活。在集成度方面,CSE技术实现了Micro LEDHEMT驱动器电子器件的直接集成,避免了复杂的组装步骤。

这些研究成果展示了Micro LED在显示领域的巨大潜力和前景,为未来的显示技术提供了新的思路和方法。

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