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思坦科技联合攻克深紫外MicroLED显示无掩膜光刻技术
由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外Micro LED显示的无掩膜光刻技术，于10月15日正式在国际顶尖权威
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中科大研发无掩膜MicroLED深紫外光刻技术
近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首
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国内高校实现MicroLED技术突破，涉及深紫外、光通讯
Micro LED是具有超小尺寸、超高亮度、对比度、长寿命、低功耗、快速响应等优势的新型显示技术，其潜在应用丰富。目前Micro LED主要应用于大尺寸显示、AR近眼显示领域，随着近年技术与成本的持续
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广东省科学院半导体研究所在深紫外发光结构制备方面取得进展
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)具有无汞污染、电压低、体积小、利于集成等诸多优势，在公共卫生、环境保护、生化检测、医疗、国防等领域具有广泛应用。但当前AlGaN基DUV LED的电光转换
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武汉大学在深紫外和全光谱LED芯片取得新进展
近日，光学领域权威期刊Laser & Photonics Reviews（《激光与光子学评论》，影响因子:11）刊发了我校动力与机械学院周圣军教授团队在发光二极管（Light-emitting Diodes，LEDs）芯片研究领域的最新研究成果。1.大功率AlGaN基超薄隧道结深紫外LED芯片随着联合国通过《水俣公约》，汞灯的生产和使用逐渐受到限制，发展替代传统气态汞灯的新型深紫外光源成为迫切需求。与传统汞灯相比，发光波长在210 nm-300 nm之间的AlGaN基深紫外LED芯片具有
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光圣半导体联合华南师大实现深紫外LED全无机封装新突破
近日，中山光圣半导体科技有限公司联合华南师范大学王幸福研究员团队，开发出应用于大功率深紫外LED全无机封装的高反射率复合反射膜（下面简称高反膜）。基于此，光圣推出了新一代天狼星系列产品，通过高反膜减少灯珠内部紫外光损耗，结合PW最新研发的大功率48mil芯片，成功实现了单颗天狼星辐射通量超过1500mW,封装后光辐射通量提升接近40%。光圣天狼星系列：全无机超高功率UVCLED器件光圣-华南师大联合研发，实现深紫外LED全无机封装新突破光圣半导体-华南师大联合研发团队，对“无围坝基板”和“光窗”
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山西出台电子信息制造业新政，涉及MiniLED、深紫外LED等
近日，山西省工信厅印发《山西省电子信息制造业2023年行动计划》（以下简称《行动计划》）。《行动计划》提出，2023年，山西省电子信息制造业继续保持快速增长态势，在半导体、光伏、新型化学电池等重点领域推进一批重大项目，突破一批关键技术，打造一批创新产品，产业链锻长补短取得新突破，产业稳定性和竞争力明显增强。半导体产业方面，围绕材料、装备、制造、封测、应用等产业链环节，支持“链主“、“链核”企业发展壮大，加快上下游配套产业的培育和引进。支持6-8英寸碳化硅衬底材料、碳化硅衬底缺陷检测、高效深紫外L
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南科大在深紫外MicroLED与超宽色域显示技术取得进展
近日，由南方科技大学电子系、香港科技大学先进显示与光电子国家重点实验室、中科院苏州纳米所组成的联合攻关团队在深紫外Micro LED与超宽色域显示技术领域取得进展，相关结果发表于电子领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters。基于AlGaN的深紫外Micro LED在光电与显示、生物医学、大健康等领域备受瞩目。在本研究中，研发团队设计并制备了不同规格的深紫外Micro-LED阵列器件，像素尺寸从10×10 μm2 到200×200 μm2，其中10×10 μm2 的De
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AlGaN紫外MicroLED
摘要：基于AIGaN的紫外线led在灭菌、消毒、净化、光疗等多个 领域有着广泛的应用，但其性能仍需进一步提高。由于减小LED尺 寸，具有更好的电流扩散、较低的自热效应和更高的光提取效率等 优点，紫外MicroLED有望提高量子效率，从而扩大更多的潜在应用。 本文将综述紫外MicroLED的性能增强技术和应用，为进一步发展基于 algan的紫外-led提供了展望。MicroLED格式为解决UVled普遍面临的 基本问题提供了可能性，但也展
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10×10深紫外发光MicroLED阵列
摘要：在这项工作中，我们设计并制作了一个由10×10个微型LED（μ-LED）组成的深紫外（DUV）发光阵列，每个器件 的直径为20μm。引人注目的是，与发光面积与阵列相同的传统大型LED芯片相比，在100mA的注入电流下，该阵列的总 光输出功率显著提高了近52%。μ-LED阵列还实现了高得多（~22%）的峰值外部量子效率以及较小的效率下降。数值计 算表明，性能的提升可归因于每个μ-LED边缘较高的光提取效率。此外，远场方向图测量表明，μ-LED阵列具有更好的 前向发射方向性。这些发现有助于提高
