Micro LED是具有超小尺寸、超高亮度、对比度、长寿命、低功耗、快速响应等优势的新型显示技术，其潜在应用丰富。目前Micro LED主要应用于大尺寸显示、AR近眼显示领域，随着近年技术与成本的持续优化，Micro LED技术也在往可穿戴设备、车载显示等更多应用领域延伸。

而在近日，中国高校团队相继在Micro LED领域取得新研究成果，推动Micro LED技术应用往光通信和深紫外领域应用。

郑州大学等团队研发提升深紫外Micro LED效率新技术

近日，外媒报道，郑州大学、郑州轨道工程学院和北方民族大学研究团队在学术期刊《Scientific Reports》上发表一种提高深紫外Micro LED效率的新方法。

研究人员解释，标准深紫外Micro LED存在严重的电子泄漏，空穴注入效率低的问题，且随着尺寸越小，侧壁缺陷越多，效率将进一步降低。为解决该问题，研究人员在空穴供应层和电子供应层（p-HSL和n-ESL）中引入了极化电荷（polarized bulk charges），以增强载体的结合，提高载体的注入效率。

图片来源：Scientific Reports

研究人员表示，通过新技术应用，团队研究的DUV Micro LED电子密度提升了77.93%，空穴密度提升了93.6%。Micro LED的光功率和最大外量子效率分别达到31.04 W/cm²和2.91%，在120 A/cm² 电流密度下，效率仅下降2.06%。

厦门大学与阳明交大研发红/黄光Micro LED光通信技术

厦门大学和中国台湾阳明交通大学的研究人员通过将氮化铟镓(InGaN)黄光、红光 Micro LED应用于光通信 (VLC)系统当中，实现了更高的光通信效率。

图片来源：ACS Publications

研究人员表示，与光通信系统中常用的硅基光电二极管相比，氮化铟镓光电二极管具有低噪和高灵敏度的优势。

该研究表明，与之前使用的较短波长Micro LED光电二极管相比，此次研究的红/黄光Micro LED对蓝光拥有更高的响应程度。

据悉，长波长的氮化铟镓Micro LED具有在新型显示和可见光通信领域的应用潜力。在本次研究中，研究团队为光通信应用制造了红光和黄光Micro LED，作为光通信发射器和光电二极管 (PD)，并采用应力调制工程和原子层沉积（ALD）技术来提高传输和检测性能。

实验结果表明，在用作光通信发射器时，红光和黄光Micro LED在2000 A/cm²电流密度下表现出439.7和532.5 MHz的高调制带宽，分别实现1.9和2.4 Gbps的数据速率。当用作光通信光电二极管时，具有高铟成分量子阱的长波长Micro LED表现出更长波长吸收边缘，这有望在滤除荧光成分的同时实现对蓝光更高的响应度。

另外，红光和黄光Micro LED光电二极管的响应光谱与大部分蓝色信号重叠，因此对于450 nm的波长光，红光和黄光Micro LED的响应度分别高达0.208和0.135 A/W，高于现有的氮化铟镓LED光电探测器。

此外，研究团队还表示，基于波长选择性，长波长的Micro LED电二极管可滤除缓慢的荧光发射，从而实现高于硅基探测器数倍的白光调制带宽。