技术文章
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12月31日,香港科技大学宣布,学校)工学院成功研发一款全球首创的深紫外Micro LED显示阵列晶圆,此高光效晶元可配合无掩模紫外光光刻技术,提升其光输出功率密度准确性,并以较低成本及更速效的方法推...[详情]
2024-12-31 -
氮化物基发光二极管(LED)可广泛应用于照明、显示及通信领域。其中,光源的线偏振特性作为一项关键的功能扩展,为显示背光、3D成像、信息加密和生物医学诊断等领域开辟了全新的应用路径。然而,现有的在c平面...[详情]
2024-12-25 -
12月16日,比利时微电子研究中心(imec)宣布,其与合作伙伴在2024年IEEE国际电子器件会议(IEDM)正式推出了首款基于砷化铟(InAs)量子点的短波红外(SWIR)图像传感器原型。这款传感...[详情]
2024-12-24 -
Micro-LED是一种由微米级LED发光像素组成的阵列显示技术,具有自发光、高分辨率、高亮度、高效率、高对比度、低功耗、高稳定性、长寿命等优点,被认为是革命性的新型显示技术。对Micro-LEDs发...[详情]
2024-12-18 -
近日,北京大学物理学院现代光学研究所、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室“极端光学团队”高宇南课题组与浙江大学金一政课题组合作,通过使用阳离子交换方法,成功制备高荧光量子产率的核...[详情]
2024-12-16 -
卤化铅钙钛矿量子点(QDs),这一新型半导体材料界的璀璨明星,凭借其卓越的光致发光量子产率(PLQY)、优异的色纯度、宽广的色域调节能力以及出色的溶液加工性,正在薄膜光电器件领域大放异彩。在钙钛矿QD...[详情]
2024-11-27 -
近年来,近红外钙钛矿发光二极管(NIR Pero-LEDs)因其在效率上的显著进步备受关注。然而,目前高效率NIR Pero-LEDs的发光主要局限于第一近红外窗口(NIR-I,700 nm至900...[详情]
2024-11-27 -
中科院微观磁共振重点实验室樊逢佳教授与河南大学申怀彬教授携手合作,利用EETA技术深入研究了绿色磷化铟基量子点发光二极管的关键科学问题,成功实现了绿色磷化铟基量子点LED的峰值外量子效率(EQE)达到...[详情]
2024-11-21 -
显示技术在我们的日常生活中变得显著而普遍,广泛应用于增强现实(AR)/虚拟现实(VR)设备、智能手机、平板电脑、显示器、电视等。目前,液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)是两大主流显示技术...[详情]
2024-11-18 -
近日,多个海内外高校科研团队在Micro LED领域有最新研究成果,以提升Micro LED性能,并降低其制造成本。湖南大学团队联合诺视、晶能等研发超高亮度Micro LED微显示芯片...[详情]
2024-10-28 -
近日,东南大学电子科学与工程学院倪振华教授、物理学院吕俊鹏教授课题组,南京师范大学物理科学与技术学院刘宏微教授课题组和复旦大学微电子学院周鹏教授课题组合作提出了基于二维钙钛矿并结合低温范德华转移工艺,...[详情]
2024-10-22 -
近日,中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列,并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首...[详情]
2024-10-09 -
近年来,金属卤化物钙钛矿材料凭借其高荧光量子效率、宽色域和加工简易等特性,在钙钛矿发光二极管(PeLED)领域取得令人瞩目的成果,并在照明和显示领域展现出广泛的应用前景。...[详情]
2024-09-23 -
9月17日消息,Lumileds宣布在InGaN红光LED的研发上再次取得了创纪录的新进展。据悉,相较于AlInGaP材料,采用InGaN材料的红光LED,能够与同样基于InGaN材料的绿光和蓝光LE...[详情]
2024-09-18 -
半导体材料是现代电子信息产业的核心,它的发展为我们的生活持续带来便利和变革。作为领域内的“新星”,钙钛矿半导体受到广泛关注。近日,浙江大学国际联合学院(海宁国际校区)、光电科学与工程学院的狄大卫教授团...[详情]
2024-09-13 -
本研究发展了一种高效的预成核策略用以解决空间限域法中钙钛矿单晶的成核问题,实现了室温下对高质量铅卤钙钛矿单晶的可控制备,从而构筑了高效且稳定的单晶钙钛矿发光二极管(PeLED)。其中MAPbBr3单晶...[详情]
2024-09-03 -
Micro LED是一种新型显示技术,在亮度、分辨率、对比度、能耗和响应速度等方面相比于现有的主流显示技术具有巨大的优势,被认为是下一代显示技术。然而,在Micro LED显示屏的制造过程中,如何生产...[详情]
2024-09-02