Micro-LED来势汹汹，苹果、索尼、三星、欧司朗、日亚化、Cree等国际巨头以及晶电、隆达等台企都积极进行Micro LED制程的研发，大陆LED厂商也不甘落后。这其中动作较为迅速的要属三安光电了。
三安光电目前已申请多项Micro LED相关专利，并成功和三星签约，成为三星面板的独家供应商，此外，三安光电还将建立首条Micro-LED外延片和芯片生产线，并且
与TCL成立联合实验室布局MicroLED显示市场。
据消息称，三安已经开发出了直径为20微米的Micro LED产品；与此同时，三安还将生产4微米LED和10微米的LED倒装芯片。今天这里来揭秘三安microLED的一项专利
三安光电于2018年3月22日提出一项名为“一种微型发光元件及其制作方法”的发明专利（申请号:201810241966.2）,申请人为厦门市三安光电科技有限公司。
图1 微型发光二极管器件制作过程1
图1过程为提供的LED外延结构110，一般包括生长衬底111和外延叠层。其中，生长衬底110表面结构可为平面结构或图案化图结构，蚀刻区包括第二电极区217和切割道区218，其中切割道区218将整个发光外延叠层110划分为一系列微发光单元LED。继续蚀刻切割道区218的第一类型半导体层212则形成走道150，从而将在整个发光外延结构分为一系列微型LED芯片阵列。
图2 微型发光二极管器件制作过程2
在制作过程2中，各个微型LED芯片的表面上覆盖绝缘材料层160，仅露出第一电极216和第二电极的217的部分表面，并在微型LED芯片阵列上制作金属牺牲层190，进而根据测试模块，形成区域化的金属牺牲层，使得整个模块化的金属牺牲层并联在第二电极上，作为第二测试的第二电极。
图3 微型发光二极管器件制作过程3
参照图3，在微型LED芯片阵列上制作含有SiN等材料的绝缘保护层131，以此覆盖住整面的金属牺牲层，并填充第一电极开孔位置。利用干蚀刻的方式，在第一电极开孔进一步挖孔，露出第一电极，并将整面填充金属连接层141，进而在第一电极上与绝缘保护层组成支撑柱子。
三安光电的此项Micro LED专利，在常用微型LED的基础上，利用导电基板搭配绝缘隔离，形成针孔电极的支撑柱子，并用模块化金属牺牲层做测试电极，实现微型发光元件的巨量全测。
来源：嘉德知识产权
