昨（15）日，法国3D GaN LED技术开发商Aledia宣布成功在12英寸（300mm）硅晶圆上生长出业界首款纳米线（nanowire）Micro LED芯片。
2012年，Aledia从法国Micro和纳米技术领先研究机构CEA-Leti实验室分拆出来，此次在12英寸晶圆上的技术突破就是由双方团队的合作成果。
过去8年来，Aledia一直致力于在8英寸（200mm）硅晶圆上开发其突破性技术，如今，12英寸硅晶圆方面也取得了技术突破，这意味着未来Aledia将在8英寸和12英寸硅晶圆上生长芯片，提供不同的解决方案。
据了解，大尺寸晶圆能够带来更好的经济回报，并且与更小节点的电子器件集成能有更高的成本效益，目前只有12英寸硅晶圆可以实现。
图片来源：CEA-Leti
Aledia的CEO及共同创始人Giorgio Anania直言，Aledia是全球第一家在12英寸硅晶圆上生产Micro LED的企业，并打开了其潜在大规模量产的能力。
据其介绍，在一片12英寸的硅晶圆上就可以生产出60-100块智能手机显示屏，若使用当前LED行业标准的4英寸蓝宝石衬底来生产，则需要大约4-6片。
Aledia表示，基于独有的纳米线LED（3D LED）技术以及应用780µm标准厚度的硅晶圆，在一片12英寸的硅晶圆上生产出60-100块智能手机显示屏，可以通过商用化的工艺和设备实现。
传统平面2D Micro LED是通过在4-6英寸（100-150nm）蓝宝石晶圆上沉积GaN晶体的平层来生产，目前业界广泛应用的是4英寸晶圆。
相比之下，Aledia的Micro LED技术是在更大面积的硅晶圆上生长GaN纳米线（次微米直径的GaN晶体），不会产生2D芯片上出现的任何应力问题，而应力会随着晶圆尺寸的增大而增强，因此，超大尺寸晶圆即派上用场。
此外，利用硅基技术，还能够在传统微电子工厂（硅晶圆代工厂）生产Micro LED，助力其实现大批量生产，良率达到极高水平。
Aledia认为，大尺寸硅晶圆和微电子工厂是眼下满足终端用户市场强劲需求的唯一途径。例如，如果一台60英寸或以上的大屏电视改用硅纳米技术来获得更优的图像质量并降低生产成本，那么每年将需要2400万片12英寸硅晶圆，而这只有硅产业及其供应链能够实现。
CEA-Leti实验室则表示，3D纳米线Micro LED具有渗透大尺寸显示市场的潜力。CEA-Leti正在积极支持和推动显示产业向Micro LED技术过渡。
今年以来，Aledia持续加大对Micro LED技术的研发力度，大动作频频。
一方面，Aledia完成了8000万欧元的投资，计划在法国投资1.4亿欧元建立LED生产工厂。该公司预计2022年之前在新工厂开始生产LED，还将完成其微型显示器的生产过程，并将开始提供Micro LED微型显示器。
另一方面，在关键设备的投资上，Aledia采购了Veeco的薄膜制程设备，旨在加快3D Micro LED研发生产的进程。
基于产业链重要厂商之间的协同合作，Aledia的Micro LED技术现已取得实质性进展，业务规模也正在同步扩大，未来亦是推动Micro LED商用化的一股重要力量。
