据韩媒报道，韩国设备厂商Top Engineering开发了一套名为TNCEL-W的Micro LED检测设备，采用新型的芯片测量和检测技术，能够改善Micro LED制程的生产良率。
据介绍，TNCEL-W可在Micro LED芯片转移至基板之前筛选出有缺陷的芯片，在不直接接触芯片的情况下，同时采用电气测量和光学测量方法进行芯片检测，有望最大程度降低对Micro LED芯片的损害，从而减少Micro LED像素点返修制程的成本和时间，助力解决Micro LED量产的难题。
Micro LED测试样本
据悉，TNCEL-W是首款在无需直接接触Micro LED芯片的条件下，同时应用电气测量和光学测量技术的检测设备。相比现有的LED芯片检测设备，TNCEL-W可在晶圆制程阶段批量检测小于50?的Micro LED芯片。同时，检测速度也显著得到提升。
Top Engineering透露，目前公司正在与韩国国内和国外客户开展设备性能测试，预计最早将于今年底向客户供应TNCEL-W检测设备。
下一步，Top Engineering计划提升设备的检测性能。
Top Engineering表示，公司将采用人工智能技术，聚焦于分析芯片缺陷类型，减少制程时间。除了4英寸晶圆检测之外，该公司计划开发能够检测6英寸晶圆的设备，预计明年第三季实现该战略目标，以应对Micro LED大规模量产的需求。
前端设备技术持续突破，Micro LED量产有望提速
众所周知，Micro LED因具备高对比度、高亮度、长寿命、优异稳定性、低功耗等优点而成为显示界的焦点。不过，Micro LED芯片稳定从外延片上转移至显示背板的过程需要高水平技术才能够完成。虽然部分厂商已将开始量产Micro LED产品，但实际上仍面临低良率的问题，而主要难题就在于芯片转移和接合制程。
对于提升良率来说，其中一个障碍就是出现有缺陷的芯片。如果没有将缺陷芯片准确挑选出来，并将其转移至显示背板上，那么就不可避免地会出现不合格的像素点，后续厂商在维修像素点上将花费很多成本和时间，从而导致量产时间推迟。
可以看到，Top Engineering已针对这个问题，开发了相应的解决方案。除了这家厂商之外，其实，近年来，全球范围内多数Micro LED相关厂商均针对Micro LED前端制程的测试和检测等问题，积极投入研发，以期提升Micro LED后端制程和整个生产过程的效率和良率，从而降低成本，加快量产的进程。
其中，苹果正在开发提高Micro LED显示屏品质管控的方法，并于今年初获得“Micro LED芯片检测”专利。这项技术同样是在Micro LED芯片转移至显示背板之前对芯片质量进行检测，从而降低生产制程的损失和缺陷率，有助于提升显示屏的可靠性和质量。
此外，以色列检测设备厂商InZiv在Micro LED测试和检测等技术领域也拥有独特的方法。目前，该公司已与多家Micro LED大厂开展合作。
据了解，InZiv技术以高分辨率提供全晶圆和局部单个像素检测。其检测系统结合AOI、PL光致发光测试和EL电致发光测试，提供外量子效率和角度测量等关键测试，可对整个晶片及其子像素特征进行综合分析。基于这种独特的组合，Micro LED开发人员能够更好地了解光、颜色、电压和结构之间的关系，有助于解决Micro LED的关键难题。
2020年，InZiv在接受LEDinside采访时透露，InZiv已推出Micro LED的晶圆检测方案，该方案可在25分钟以内通过PL方法完整检验单片6英寸晶圆，期望今年能将检测时间缩短至15分钟以内。同时，InZiv也在打造能够检测整个晶圆的EL方案。
除了上述提及的厂商，还有厂商已经在Micro LED测试和检测技术上取得进步。由此可见，Micro LED生产的前端制程正在不断实现技术的突破，为后端制程扫除障碍。随着相关厂商的积极推广，后续将有更多先进的设备投入实际应用，推动Micro LED的量产化进程。
