化合物半导体“黑科技”氮化镓（GaN），因其拥有高功率、高密度，可大幅缩小产品体积，在高频、高温与高电压的环境下仍有极佳效能，在5G/6G、绿能与电动车市场驱动下，将大幅推升化合物半导体在消费性电子产品与相关产业链产值，成为下世代半导体产业新星。
台湾地区“经济部”技术处长期投入大量资源于半导体产业，并共同见证台工研院携手英商牛津仪器签署研究计划，希望联合双方研发能力，共同建构台湾地区化合物半导体产业链发展。
台工研院副院长张培仁指出，英商牛津仪器在十五年前就已跟台工研院在精密检测分析部分进行合作，台工研院不但是牛津仪器在亚太区重要的据点，双方也培养深厚的默契与基础，并在HBLED、MEMS、Micro LED、硅光子学、奈米分析等领域获得成果。
台工研院副院长张培仁表示，台工研院近年也提出2030年技术策略与蓝图，在“AI人工智能技术”、“半导体芯片技术”、“通讯技术”、“网络安全与云端技术”等四大智慧化致能技术进行创新研发，此次签署将有助于建构更完整的下世代半导体供应链，并将研发落实于系统整合及跨领域创新，进一步协助产业转型升级，带动台湾地区经济与产业成长。
台工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅表示，工研院已开发应用于高频通讯的氮化镓半导体技术，并与相关学术机构进行磊晶技术研究、开发操作频率达320 GHz的高频元件与100 GHz的功率放大器模块等前瞻技术，希望加速台湾地区下世代超高频通讯关键技术自主化。
台工研院电子与光电系统研究所所长吴志毅还表示，希望携手牛津仪器合作开发化合物半导体的元件技术，有效提升氮化镓的高电子迁移率晶体管（HEMT）元件制程良率，增加电源充电功率与晶体管性能，建构台湾地区下世代化合物半导体产业布局，带动台湾地区产业在供应链占有一席之地。
英商牛津仪器首席执行长伊恩·巴克希尔表示，今年双方再次携手，牛津仪器将提供先进的原子级沉积与蚀刻技术设备，搭配台工研院在超高频半导体关键零组件技术解决方案及制程开发平台的领先能量，期待双方在强化前瞻技术研发能量下，进一步打入国际市场供应链。
