随着众多高科技应用的不断发展，如高动态范围显示器、电视、平板电脑，智能手表，高亮度平视显示器和高亮度、分辨率增强现实（AR）眼镜等对显示器的要求也在逐日上升。
尽管起步缓慢，但“AR眼镜”的概念有望在未来几年内实现消费产品和专业产品的大量市场渗透。对于AR眼镜来说，为了实现虚拟和现实信息的完美合并，一般需要显示器具有较高的动态亮度范围（1~104 nit）、高分辨率（>1920×1080 ppi）以及紧凑的尺寸（<0.5 inch）。
考虑到OLED亮度范围较小和液晶硅技术对比度较低的问题，目前最有潜力可以满足这些严格要求的显示器便是高效率、高亮度和强稳定性的无机III-V族Micro-LED。
然而，对于MicroLED来说，现阶段的技术难题是：在实现小型化的同时还满足高分辨率的要求。
基于此，韩国三星综合技术院的Jinjoo Park和Jun Hee Choi等人利用定制离子注入方案来制造中亚微米尺度的高效、电驱动像素化的 InGaN micro-LED，相当于每英寸 8,500 个像素(ppi) (RGB)。该技术为制造基于AR眼镜的高性能 MicroLED 显示器铺平道路。
（图源：Nature Photonics）
据介绍，基于制离子注入方案，研究组通过实验获得了300~8500ppi的蓝色MicroLED阵列，并且在所有像素下的阵列都具有较强的对比度和均匀度，最重要的是这种方案下的MicroLED阵列亮度极高，其中300ppi对应的亮度为55835nit，8500ppi对应的亮度为7440nit，这便是离子注入像素化方案在AR眼镜等高像素密度显示器方面的重要优势。
300~8500ppi的荧光光致发光（PL）显微镜图像以及不同像素的对比图（图源：Nature Photonics）
该成果以 Electrically driven mid-submicrometre pixelation of InGaN micro-light-emitting diode displays for augmented-reality glasses 为题发表在 Nature Photonics。
综上所述，定制离子注入像素化方案既能满足显示器小型化的要求，又能达到足够高的分辨率，必将成为AR眼镜全彩超高清微型显示器的理想解决方案之一。
