1月25日，芯元基宣布公司在矩阵Micro LED车灯芯片方面取得重大突破。

图片来源：芯元基

据介绍，得益于公司核心技术的优化和夯实，以及创新专利技术的应用，Micro LED车灯芯片亮度得到提升。其中化学剥离技术不仅能无损伤地将GaN像素点巨量转移到CMOS驱动芯片上，而且还能使像素点的出光面均匀地粗化出棱锥形微结构。

另外，金属空气桥连接专利技术也在此次产品中得以首次应用和展现，由于金属空气桥的连接，能够使得40μm的像素点之间被隔离独立开而又能电连接，从而能够产生出高对比度和高清晰度的效果，相比于激光剥离制作出的芯片，效果明显。

芯元基表示，数字化车大灯元年已开启，产业链上的各个厂家也都在开足马力进行研发，都力求能取得先发优势。作为产业链上最核心的一环，公司争取早日能将产品得到应用，提高车辆行驶安全性。

据介绍，数字化车大灯在多种应用场景中发挥作用，如车距提示；变道提示；窄路视宽辅助；弯道光毯照明；隧道场景；迎宾场景；天气、音乐投影；自动驾驶提示；车道安全指导；礼让行人提示等。

据悉，芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。

在Micro LED方面，芯元基取得不少突破：2022年全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列；2023年实现0.39英寸单色Micro LED显示屏视频显示，实现Micro LED巨量转移技术突破，开发出了晶圆级印章巨量转移工艺，达到了转移芯片位置零偏差。