9月8日，星钥半导体的Micro LED生产线在武汉光谷正式通线，成为国内首条8英寸硅基氮化镓Micro LED芯片中试线。
图片来源：中国光谷
据悉，星钥半导体于2024年10月落户武汉光谷，仅用时8个月就完成了厂房建设、设备搬入，知识产权数量突破百件。
星钥半导体的中试线采用8英寸硅基氮化镓LED外延技术，通过成熟的无损去硅技术可实现较高的良率，可实现8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力1.2万片/年。同时产线与8英寸CMOS半导体芯片工艺高度兼容，生产产品可应用于AR/MR眼镜。
通线成功后，未来星钥半导体将致力于产能爬坡、良率提升、成本优化等工作，打造全球Micro LED标杆产线。
资料显示，星钥半导体专业从事硅基Micro LED业务，致力于研制和量产高亮度Micro LED微显示芯片，产品面向下一代人工智能和消费电子等应用，为增强现实AR、可穿戴设备、微型投影等提供专业解决方案。截至2024年底，星钥半导体已申请160余项国内外专利，授权近40件。
值得注意的是，星钥半导体的创始人骆薇薇博士同时也是国内知名第三代半导体企业英诺赛科的创始人。
今年3月，英诺赛科与星钥半导体订立产品、服务及设备销售框架协议，约定自2025年至2027年，英诺赛科向星钥半导体提供氮化镓外延晶圆、失效分析等测试服务及外延生长设备。
