9月17日，法国原子能与替代能源委员会（CEA）旗下的电子与信息技术实验室 CEA-Leti与异质外延及其应用研究中心（CRHEA）宣布，在Micro LED技术上取得突破，首次在单一材料系统内实现了稳定的红、绿、蓝光色，有望推动AR/VR用全彩微显示技术发展。
研究成果已发表于《Nature Communications Materials》，并将于9月24日在荷兰埃因霍温举行的MicroLED Connect大会上正式报告。论文题为《在 InGaN纳米金字塔上生长铟含量高达40%的RGB InGaN量子阱》。
论文详述了团队如何利用金属有机气相外延（MOVPE）技术，在带外延石墨烯层的SiC基底上制备InGaN纳米金字塔，从而缓解了铟掺入受限的难题。实验结果显示，研究人员在量子阱中实现了创纪录的40% InN摩尔分数，使其能够可靠地产生红光，并保持高晶体质量。
图片来源：CEA-Leti
据悉，长期以来，10微米以下像素的Micro LED微显示器一直面临集成难题，即磷化物红光器件在微缩后效率显著下降，而颜色转换方法受制于精度与稳定性。CEA-Leti的方法打破了这些限制，使RGB光源能够在同一材料体系内原生生成，简化了器件结构并提升了性能。
研究人员表示，这项最新研究技术解决了显示微型化过程中最棘手的难题之一，为制造高亮度、高分辨率的全彩Micro LED微显示器打开新路径，对下一代 AR/VR头显和智能眼镜的发展至关重要。
CEA-Leti 强调，这一成果不仅有望推动沉浸式显示的发展，还可扩展至高速光通信、光伏器件以及可再生氢能生产等更广泛的应用领域。
