10月25日，日本技术开发商Nitride Semiconductors宣布成功开发了R/G/B三种可见光范围内的Micro LED，红绿蓝光的波长分别是620nm、510nm、450nm，并基于此推出结合Micro UV LED的试用套件。
据LEDinside了解，Nitride于2018年成功开发尺寸为12μm x 24μm、波长为385nm的高效Micro UV LED，并在2021年先后在英国、德国、法国、美国等地区获得专利。Nitride利用该专利技术激发红、绿、蓝荧光粉来制备全彩显示屏，并成功将Micro UV LED芯片微缩至12μm x 24μm，芯片之间在水平方向和垂直方向上的距离皆为5μm，可用于Micro LED显示器上，有望应用到下一代AR眼镜和智能眼镜等可穿戴设备中。
彼时，Nitride表示，这项技术能够降低显示器用Micro UV LED芯片的成本，Nitride正在开发大规模量产化的技术，现已向用户提供样品。如今，Nirtide在此基础上新增了可见光范围内的Micro LED，全彩化Micro LED开发进程提速。
红、绿、蓝、紫外Micro LED发射波长数据（48μm×48μm）
Nitride介绍，为了方便用户对比每种颜色的特点，公司制备了一个Micro RGB+UV LED芯片试用套件，该套件由四种波长的Micro LED组成（四合一套件），包括红、绿、蓝、紫外光。Nitride表示，采用Micro RGB+UV LED套件，Micro LED显示器开发商可以尝试不同波长和尺寸的芯片，借此选出适用于最适合量产Micro LED显示器的芯片。
红光Micro LED芯片发光
值得关注的是，Micro LED的全彩化一直以来都是行业性难题，尤其是红光LED的生产和效率问题，不过GaN材料被视作能够解决红光Micro LED性能问题并助力实现全彩化的佳选。近几年来，首尔半导体、Porotech、晶能光电等全球厂商积极通过产学研合作，借力GaN材料突破了红光LED的问题，获得实质性进展，Nitride同样如此。
24μm×48μm红光Micro LED芯片
此次Nitride正是利用InGaN代替GaAs或GaP等传统材料，实现了红光LED的开发，此举又一次验证了GaN材料的应用潜力，也意味着Micro LED的全彩化瓶颈正在逐步实现突破，量产进度可期。
